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通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高. 相似文献
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难熔金属钨由于电子迁移抗力强、高温稳定性好以及电子发射系数高等优点，在半导体制造中被用于制备溅射薄膜材料的钨和钨合金靶材。微纳钨粉作为制造半导体用钨和钨合金靶材的重要原料，其性能影响半导体用钨和钨合金靶材的稳定性、薄膜沉积速率等性能，研究其合成方法具有重要的意义。综述了国内外微纳钨粉的合成方法，重点对氢还原法、碳氢还原法、高能球磨法、等离子体技术等在微纳钨粉合成领域的研究进行了综述，同时对酸沉淀法、循环氧化还原法、喷雾干燥法进行了简单的介绍，并对这些合成方法的优缺点进行了简单评述。在氢还原法中，突出介绍了不同种类钨原料在微纳钨粉合成中的应用；碳氢还原法中，重点介绍了添碳氢还原法和碳还原-氢还原两步还原法两种工艺路线，探究了C/WO3比对两种工艺路线结果的影响；高能球磨法中，总结了球磨介质、球料比、过程抑制剂等球磨参数对球磨效果的影响；等离子体技术介绍中，总结了现有的钨原料在微纳钨粉中的应用情况。 相似文献