等离子体表面技术和在有机材料改性应用中的新进展

综述了20世纪90年代以来低温等离子体表面技术及其在有机材料改性应用中的新进展。介绍阻挡放电和远等离子体处理是实现工业化和获得更好的等离子体表面改性的新方法。目前的研究更多地关注于等离子体接枝表面改性,即将不同性能的单体接枝于用等离子体处理过的材料表面获得永久性表面改性,以提高材料的粘附性、吸湿性、吸附性、导电性和生物相容性等。对低温等离子体表面改性技术的研究和应用进行了展望。     

厚基础、宽口径、理工复合培养光电信息技术人才

提出了厚基础、宽口径、理工复合光电信息技术人才的培养模式,建立了以光电信息技术为龙头,以宽厚严实的物理学理论和近代物理实验技术为主体,以电子技术和计算机应用技术为两翼,具有明显特色的培养目标、课程设置、教学计划、实践环节等教学体系,确保学生具有较高的科学素质和较强的创新能力。     

低温等离子体技术及在粉体材料表面改性方面的应用

阐述低温等离子体的组成、产生及其在材料表面方面的应用。分析了等离子体技术在粉体团聚问题上应用的前景,利用等离子体技术改善提高粉体材料(尤其是纳米材料)的分散性、力学性能、缓释性能等多项性能。     

多参量和多功能型光纤光栅传感技术

介绍了多参量和多功能型光纤光栅传感技术的原理、发展历史和现状,重点介绍了利用基于光纤光栅的一个传感头同时测量多个参量的技术.详细分析了利用一个光纤光栅传感头同时测量温度和应变的原理和技术,对多参量传感中的传感头结构进行了总结和分类,提出并分析了新的多功能型光纤光栅多参量传感系统.     

低温等离子体灭菌实验研究

相对于传统的灭菌方法来讲,利用低温等离子体灭菌有许多优点。本文详细介绍了一个低温等离子体灭菌实验装置,并运用此装置对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌进行了灭菌实验研究。通过对灭菌D值的比较发现大肠杆菌(革兰氏阴性菌)较之金黄色葡萄球菌(革兰氏阳性菌)易于灭杀。     

LCD显示器阶调复现曲线的函数表达

通过对S-shape和S-curve函数曲线的分析,提出了LCD显示器阶调复现曲线的S-form函数表达.实验采用X-Rite Monitor Optimizer测量了两台LCD显示器和一台CRT显示器的阶调复现曲线,并分别用S-shape,S-curve和S-form函数进行了拟合,结果表明:S-form函数拟合阶调复现测量曲线优于S-shape和S-curve函数;S-form函数不仅适用于LCD显示器,也适用于CRT显示器.     

CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究

采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献。CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释。     

Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响

利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.     

（英）磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

本文中,采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。     

磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。