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11.
为了改善调Q输出激光脉冲的对称性和重复频率的稳定性,采用LD泵浦的Nd:YAG晶体作为激光工作物质,声光Q开关作为主动调Q,Cr4+:YAG饱和吸收体作为被动调Q开关,搭建了主被动双调Q1064nm激光器,比较了声光调Q和双调Q输出脉冲波形,结果表明,在同一谐振腔内,利用两次单调Q获得了较对称的脉冲,在特定的重复频率和泵浦电流下,输出脉冲的频率保持不变. 相似文献
12.
13.
14.
15.
该文通过对影响大孔树脂HPD-400吸附、洗脱因素进行正交优化与验证,优化巨峰葡萄籽原花青素纯化工艺,并以赤霞珠葡萄籽作为参照,对其进行抗氧化活性分析。选取吸附时间、提取液pH值、上样流速、乙醇浓度、洗脱液pH值5个因素,分别考察其对原花青素浓度及吸附率、洗脱率的影响。选择提取液pH值、上样流速、乙醇浓度、洗脱液pH值进行正交试验。通过正交试验得到最优纯化工艺为提取液pH 5.0,上样流速1.0 mL/min,洗脱液pH 7.5、乙醇浓度50%,获得的原花青素纯度为94.17%。DPPH自由基清除能力、还原性强弱顺序依次为赤霞珠>巨峰>V;超氧阴离子自由基清除能力强弱顺序依次为V;>赤霞珠>巨峰。纯化后巨峰葡萄籽原花青素抗氧化活性较好,表现出较大的应用潜力。 相似文献
16.
页岩有机碳含量测井评价方法及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
根据页岩气的定义,高有机质丰度既是成烃的物质基础,也是页岩气吸附的重要载体.利用页岩纵向高分辨率测井资料估算地层的有机碳含量,克服了因取心不足和受实验分析费用限制而造成的评价页岩的困难.依据页岩在不同测井曲线上的测井响应特征,利用电阻率、声波时差、自然伽马能谱等测井信息,采用△LgR法以及自然伽马能谱法回归计算页岩有机碳含量.最后以四川盆地2口井的页岩层有机碳含量计算为例,对TOC实测数据进行误差分析和检验,结果表明对于陆相页岩层段△LgR与U(铀)曲线叠合法较为适用,对于海相页岩层段这2种方法都取得了较好的效果. 相似文献
17.
宰后成熟过程中猪肉色泽变化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了正常未注水猪肉和注水猪肉在室温(25℃)和冷藏(4℃)条件下色泽(L*、a*、b*、ΔE*)的变化,在宰后成熟过程中(0,12,24,36,48,60,72 h)进行测定。结果表明:在试验时间范围内,正常肉和注水肉在室温和冷藏下L*值均下降(p<0.01);未注水肉红度值(a*)变化不明显,注水肉显著升高(p<0.05);未注水肉黄度值(b*)先上升后下降(p<0.01),而注水肉黄度值(b*)上升(p<0.01);ΔE*值无论注水与否室温下差异显著,冷藏不显著。 相似文献
18.
在聚2,6-吡啶二甲酸(PDC)膜修饰的玻碳电极上采用电沉积和浸泡结合法制备成纳米金修饰电极(NG/PDC/GCE)。将单链DNA(ssDNA)固定在NG/PDC/GCE电极上制得DNA电化学传感器。采用微分脉冲伏安法(DPV)和交流阻抗谱技术对DNA的固定和杂交进行了表征。实验表明,纳米金修饰于PDC膜上可大大提高DNA探针的固定量。同时采用紫外一可见光谱法研究了在Tris—HCI(pH6.8)缓冲溶液中3-氨基酚嗯嗪(AP)与双链DNA(dsDNA)的相互作用,进而采用交流阻抗谱技术对固定在NG/PDC/GCE电极上的dsDNA与AP的相互作用进行了表征。结果表明,固定于纳米金上的DINA结构并未改变,仍能与小分子相互作用。 相似文献
19.
在聚2,6-吡啶二甲酸(PDC)膜修饰的玻碳电极上采用电沉积和浸泡结合法制备成纳米金修饰电极(NG/PDC/GCE)。将单链DNA(ssDNA)固定在NG/PDC/GCE电极上制得DNA电化学传感器。采用微分脉冲伏安法(DPV)和交流阻抗谱技术对DNA的固定和杂交进行了表征。实验表明,纳米金修饰于PDC膜上可大大提高DNA探针的固定量。同时采用紫外-可见光谱法研究了在Tris-HCl(pH 6.8)缓冲溶液中3-氨基酚噁嗪(AP)与双链DNA(dsDNA)的相互作用,进而采用交流阻抗谱技术对固定在NG/PDC/ GCE电极上的dsDNA与AP的相互作用进行了表征。结果表明,固定于纳米金土的DNA结构并未改变,仍能与小分子相互作用。 相似文献
20.
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻。实验采用Al_(0.22)Ga_(0.78)As/Al_(0.9)Ga_(0.1)As作为生长DBR的两种材料,设计了DBR各层厚度,研究了AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了795nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长。经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低。 相似文献