遗传程序设计在含F铋系高温超导体制备中的应用

将遗传程序设计应用于含Ｆ铋系高温超导体制备条件的识别、预报。结果表明，该方法效果好，可用于材料设计等高层次知识处理领域。     

一种微波吸收涂层的计算机辅助设计新方法

本文提出一种应用模式的识别优化技术的微波吸收材料多层涂层的计算机辅助设计新方法，避免了常规方法由于变量过多而常常陷入局部最小，从而获得多层涂层的优化设计方案本文还分析了多层涂层扩展频宽和吸收锋的关系，讨论了最佳设计中对表面层和近金属层的材料电磁参数的要求。     

硅酸盐阴离子静电势的量子化学研究

用浮动球高斯轨道(FSGO)的量子化学从头计算方法计算了硅酸盐阴离子Si_3O_9~(6-)、Si_2O_7~(6-)与SiO_4~(4-),得到它们的成键电子轨道的位置与大小、电子云分布密度图与静电势分布图。从静电势分布。讨论了硅酸盐熔体的统计热力学性质,若干推论与实验结果符合。     

非金属原子在Si(111)表面单重顶位上的化学吸附研究

本文应用CNDO/2方法研究了非金属原子在Si(111)表面单重顶位上的化学吸附,得到了束缚能、键长以及电荷分布等与吸附原子和Si(111)表面形成的共价键强弱间的对应关系.     

热轧硅钢退火工艺的ODP－ANN智能优化

本文介绍应用模式识别中的最优判别平面技术和人工神经网络算法处理硅钢片退火工艺数据，在保证磁感强度、铁损等电磁性能指标符合制造电机要求的前提下，研究提高板形平整的工艺条件，生产实践表明，采用优化结果所设计的工艺参数，较高电磁性能指标的硅钢片比率和硅钢片平整度都有所提高。     

采用从头计算方法研究金刚石的能带

——本文利用理论上严格的从头算方法计算了金刚石的能带,得到了与实验基本一致的结果.并对目前解决边界条件的方法之一——加饱和子钝化表面悬挂键——进行了研究,发现利用H或虚C(以下均用 C_v表示)作饱和子,不能得到正确的结果.因为这些键长并不对应体系总能量的极小值和最佳带隙,而对应于体系的总能量极小值和最佳带隙的键长处在C—H和C—Cv键之间,约在1.25～1.26(?)之间.另外,对从头计算方法的原理和计算上的一些考虑也作了简单的介绍.     

自组织神经树模型及其在含F铋系高温超导体制备中的应用

将自组织神经树应用于含Ｆ铋系高温超导体制备条件的识别，预报，结果表明，神经树的判别成功率较高，因此该方法可用于材料设计等高层次知识处理领域。     

DV—Xα计算函数电荷快速自洽法

为了获得较好的DV-Xα计算结果,人们往往作基函数电荷自洽的计算。然而该自洽过程很慢,费机时较多,给实际计算带来许多困难。本文基于对碱金属叠氮化物计算结果的分析,提出了一套加速DV-Xα基函数电荷快速自洽计算的通用方法,用以大幅度减少该迭代过程的计算量。     

MyOx—SiO2型硅酸盐熔体聚合平衡常数K11的量子化学估算

在我们对硅酸盐中Ｓｉ－Ｏ＾ｂｒ键、Ｓｉ－Ｏ＾ｔｅｒ键强度及金属离子对Ｓｉ－Ｏ键影响的量子化学研究基础上，提出一个分段估算ＭｙＯｘ－ＳｉＯ２型二元硅酸盐熔体聚合平衡常数Ｋ１１的新方法，不仅可以较准确地计算出任意体系的Ｋ１１，而且物理意义较明确，结果将对硅酸盐材料、地球化学、火法冶金等领域的研究有一定意义。