H、He离子辐照对国产ZIRLO合金氧化膜的影响

针对国产ZIRLO合金开展了H、He离子辐照对其腐蚀性能影响的研究。对国产ZIRLO合金样品分别进行高温（300 ℃）H、He离子辐照试验，辐照峰值剂量为1 dpa，之后进行模拟一回路腐蚀试验。通过腐蚀增重方法得到腐蚀动力学曲线。利用慢正电子湮没多普勒展宽谱对未辐照样品和辐照样品进行微观结构表征，用透射电子显微镜对腐蚀125 d的样品进行微观结构表征。结果表明，H、He离子辐照并未改变ZIRLO合金的腐蚀机理。He离子辐照产生的空位团可促进腐蚀过程中裂纹形核，增加了氧扩散通道，减少氧扩散激活能，导致腐蚀初期有明显的加速效应。H离子辐照对腐蚀的加速现象不如He离子辐照明显，原因是H离子辐照产生H-空位复合缺陷对氧扩散激活能减少作用较小。     

稀土铕离子掺杂聚合物基荧光材料的研究进展

对稀土铕离子掺杂聚合物基荧光材料的制备方法进行了分析归纳,介绍了稀土离子配位数及离子簇的存在对发光性能的影响,同时列举了聚合物基荧光复合材料在农业、生物医学、防伪鉴别等方面的应用.针对实践应用对物理性能的要求,分析提出了传统方法制得的材料在应用中存在的问题并对具有综合特性的方法进行了展望.总结认为针对不同应用制备镶嵌荧光物质的前体作为复合材料两相的桥梁这一框架方法,具有极大的应用前景.     

Ni-Cr-Mo-B超厚钢板表面低碳回火马氏体组织的韧性研究

研究了Ni-Cr-Mo-B超厚钢板表面低碳回火马氏体组织.对表面区域不同位置处取样进行了冲击性能测试,并借助OM,SEM,EBSD,XRD和正电子湮没谱(PAS)等技术手段对马氏体组织及其亚结构进行了研究.结果表明,实验钢表面韧性异常恶化,马氏体组织中相对粗大的板条束和板条块以及较高的位错密度是其表面韧性恶化的主要原因.     

正电子湮没寿命测量中干扰信号对谱仪和测量结果的影响

正电子湮没信号的精准采集与关联符合技术是寿命谱灵敏表征材料微观缺陷的基础。测量环境中放射性射线对正电子湮没信号采集的影响,制约着寿命谱方法在复杂辐射背景中应用,特别是在核结构材料中子辐照损伤研究中,中子活化诱发的放射性核素形成的γ射线本底,将影响正电子寿命谱仪的测量结果。为探究γ本底对正电子湮没寿命测量的影响规律,本文基于⁶⁰Co、¹³⁷Cs源设计了辐射背景仿真实验,结果显示：⁶⁰Co源产生的双高能γ射线是影响寿命谱形状及湮没寿命的主要因素;通过对比高、低两种典型活度比(⁶⁰Co/²²Na为3.3和1.9)下的测量结果,并经活化反应堆压力容器钢样品放射性本底真实情况检验,结果发现：在低活度比下,辐射本底导致的偶然符合概率增大,寿命谱峰谷比显著变差;在高活度比下,除偶然符合外,信号错误符合概率急剧增加,谱形明显畸变且寿命值迅速减小。基于本文辐射背景放射源模拟方法及干扰γ的影响规律,可进一步探索正电子湮没寿命测量中γ本底排除的新技术和新方法。     

北京慢正电子强束流性能研究

采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。     

Ni-Cr-Mo-B超厚钢板表面低碳回火马氏体组织的韧性研究

研究了Ni-Cr-Mo-B超厚钢板表面低碳回火马氏体组织.对表面区域不同位置处取样进行了冲击性能测试,并借助OM,SEM,EBSD,XRD和正电子湮没谱(PAS)等技术手段对马氏体组织及其亚结构进行了研究.结果表明,实验钢表面韧性异常恶化,马氏体组织中相对粗大的板条束和板条块以及较高的位错密度是其表面韧性恶化的主要原因.     

TiO2铁磁性起源的研究进展

综述了TiO2的基本性质,并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析,同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象,讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探究铁磁性起源的优缺点,其中未掺杂TiO2的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题.     

不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温下沉积了Zn薄膜,接着将薄膜在硫蒸气和氩气氛中于200℃预热1 h,然后升温至250~500℃退火1 h。以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征,并结合热力学计算结果研究了Zn薄膜硫化生长机理。Zn转变为ZnS的过程包括硫化反应以及S原子和Zn原子的扩散。研究还表明:第一步的200℃预热可在Zn薄膜表面形成ZnS,随后第二步退火的硫化温度对硫化薄膜光透过率、S/Zn摩尔比和结晶性都有明显影响;在大于或等于300℃的硫化温度下制备的ZnS薄膜在400~1100 nm范围光透过率高达约80%,带隙为3.54~3.60 eV,晶体结构为六方。     

脉冲慢正电子束流的检测

本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法.通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据.     

用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜

应用正电子湮没寿命谱(Positron annihilation lifetime spectroscopy,PALS)和正电子湮没符合多普勒展宽能谱(Coincidence Doppler broadening energy spectroscopy,CDBES)等正电子湮没谱学技术能从微观尺度上对聚合物-金属有机骨架材料杂化膜的微观结构进行表征。结果表明,随着金属有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)添加量的增大,杂化膜中较小的和较大的自由体积的尺寸都减小了;杂化膜的正电子湮没符合多普勒展宽能谱显示,MIL-101(Material Institute Lavoisier-101)亚纳米粒子的加入使得正电子在聚二甲基硅氧烷(Poly(dimethyl siloxane),PDMS)氧原子上的偏向湮没效应减弱,部分正电子与来自MIL-101亚纳米粒子中金属原子的电子发生湮没,表明MOFs加入改变了聚合物基体自由体积周围的化学环境。