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11.
这是一种新型的连续浇铸铝镇静钢的工艺,用于生产0.070~0.187吋的热轧厚带。该工艺简单、操作容易、环境污染小,不需特别措施保护浇注而钢液不会氧化,铸机投资小,同其它工艺相比具有明显的优点。  相似文献   
12.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
13.
介绍了日本三菱模糊电冰箱的特点及控制原理。  相似文献   
14.
在分析一维Schlieren方法不能有效显示二维弱位相分布的基础上,为有效地显示二维位相梯度分布,构造了几类二维直角空间滤波函数,并分别计算了它们的滤波效应.结果表明几类二维空间滤波都可以较大的衬度同时显示二维弱位相梯度分布,且不同形式的二维空间滤波对像面强度分布的“直流”分量有影响.  相似文献   
15.
湖北电网继电保护运行管理系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文介绍了一种个将继电保护专业与调度运行专业相结合能及时,方便地对运行的继电保护定值及状态进行修改,汇总统计的继电保护运行管理系统。  相似文献   
16.
重稀土锰基化合物Gd(Mn,Co)Si的结构与磁性   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过金属钴对锰的替代,考察了Gd(MnCo)Si化合物的晶体结构,居里温度TC和磁化率随替代量变化的规律,初步探讨了重稀土Gd原子同过渡金属Co,Mn原子之间以及过渡金属原子与过渡金属原子之间的磁相互作用。  相似文献   
17.
单层吸波材料的逆向优化方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据单层吸波材料的吸收机理,提出了吸波材料电磁参数的逆向优化方法,并用该方法对单层吸波材料进行了分析设计,得到了电磁参数的最佳配合下吸波材料反射率的幅频特性,分析讨论了电磁参数的频散效应及厚度对吸波性能的影响。  相似文献   
18.
林钢  徐秋霞 《半导体学报》2004,25(12):1717-1721
以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性.  相似文献   
19.
目的设计出一种在380~455 nm波段具有高反射率,但在500~760 nm波段具有低反射率的多层薄膜结构。方法采用遗传算法,采取截断选择策略,并引入小生境技术,选择灵活性较好的容差型评价函数,通过改变目标反射率,使功能薄膜在可见光波段具有增透与增反两种特性。采用八层不同折射率材料交替结构,计算得出满足光谱特性要求的全局膜系结构参数。结果当材料为硫化锌和氟化镁,厚度为324、142、68、46、51、51、56、145 nm时,380~455 nm波长处的平均反射率高达88.54%,500~760 nm波长处的平均反射率仅为2.00%。由几种常用光学薄膜材料的不同搭配,发现材料的折射率差与两波段的平均反射率差呈现相同趋势。当两种材料的折射率差为0.92时,两波段的平均反射率差为86.54%。结论采用的遗传算法可以简单有效地对多层薄膜结构进行优化,为获得较为理想的蓝光过滤功能薄膜,应尽可能选择折射率差大的两种材料。  相似文献   
20.
对DMR协议的调制解调器进行仿真研究,给出了不同参数对系统功率谱及误码性能的影响曲线。针对最优解调算法实现难度大的问题,提出了一种简化算法,并将其与最优算法进行比较。仿真结果表明,此算法在保证性能的基础上极大地降低了复杂度,提高了可行性。  相似文献   
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