多相陶瓷材料性能规律的研究

引入等效退极化场和等效退磁化场的概念,推导出了宏观均匀且各向同性的多相混合材料的性能计算式。将其应用于陶瓷介电材料(两相)、铁氧体磁性材料(两相)和混合介电——磁性材料(三相)(其中气孔均视为相)的研究中,得到了理论与实验相吻合的结果。该式在应用上比加和法更为准确、方便。     

烧成和极化条件对PZT-BF-BCN系压电陶瓷电性能的影响

本文探讨了PZT-BF-BCN四元系统压电陶瓷在不同烧成条件下电性能的变化及其显微结构特点,详细研究了极化电场、极化温度和极化时间对该系统电性能的影响,找到了该系统较佳的烧成和极化工艺条件.     

预烧温度对MiCuZn铁氧体陶瓷材料烧结和显微结构的影响

研究了预烧温度对多层片式电感器用ＮｉＣｕＺｎ铁氧体的烧结、显微结构和电磁性能的影响。结果表明,为了获得优良的显微结构和温度稳定性,预烧应在高于烧结温度条件下进行,其最佳预烧温度在９４０℃左右,预烧温度改变引起粉料活性和粒度差异是影响瓷料烧结电磁性能主要原因。     

多层片式电感器用 NiCuZn铁氧体的低温烧结

本文利用Bi     

PFN基瓷料居里点调节机制及二次合成技术

从瓷料配方设计的角度出发,讨论了PFN基独石电容瓷料的居里点调节机制,并列举出常用的移动剂。同时介绍PFN的一次高温煅烧及二次煅烧合成技术对钙钛矿相形成的影响。二次合成技术是提高PFN基瓷料性能的关键工艺之一。     

钡铜钨离子在PFN-BCW系瓷料中的作用

通过Ba~(2+)、Cu~(2+)、W~(6+)离子对PFN的A位或B位取代试验,研究了BCW在PFN-BCW二元系中的作用。Ba~(2+)离子的A位取代能显著降低系统的Tc,且展峰作用明显。少量Cu~(2+)离子的添加能显著降低PFN的烧结温度。Cu~(2+)、W~(6+)离子的复合B位取代能提高Cu~(2+)在PFN中的固溶量,减少焦绿石相的形成,有利于系统的低温烧结和改性。     

小功率中波发射电小天线用高Q加感线圈

小功率中波发射电小天线采用高Q铁氧体线圈代替平绕线圈加感,可提高天线系统效率3～7分贝。本文主要介绍高Q铁氧体加感线圈的设计、结构、性能及应用实效。     

高性能低温烧结NiCuZn铁氧体μ125材料的研究

高性能低温烧结铁氧体材料是制作多层片式电感器（磁珠）的关键技术,该文作者有目标地选择ＮｉＣｕＺｎ系统作为研究方向,通过调节ＮｉＣｕＺｎ配比及添加Ｂｉ２Ｏ３降温烧结促进剂等方法,研制出了结构致密,晶粒尺寸大小及分布均匀、电磁性能优良、烧结温区宽（８７０～９２０℃）、能和Ａｇ内电极共烧匹配的μ１２５铁氧体材料;对该材料的实验及分析表明,其烧结机理是反应生成了ＢｉＦｅδΟ１．５（１＋δ）（δ＝１～２）化合物。     

过量PbO对PFN-BCW系陶瓷烧结及介电性能的影响

Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3系固溶体中添加过量PbO可使该系统在680℃左右出现液相,起到促进烧结的作用。添加适量(0.5wt%)的过量PbO可降低烧结温度20～30℃,在880℃保温2h烧结时,可得到无明显玻璃相存在的结构致密的细晶陶瓷,其主要性能满足EIA标准中的Y5U组要求,适宜于采用全银内电极制造多层陶瓷电容器。     

PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。