低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

高介电常数微波陶瓷材料的研究进展

叙述了BaO-Ln2O3-xTiO2系陶瓷的掺杂、添加烧结助剂和晶粒取向对其烧结温度和微波介电性能的影响。简述了(Pb1-xCax)(Fe0.5Nb0.5)O3系陶瓷的掺杂改性和低温烧结的研究进展。介绍了迄今为止εr最高的一类微波介质陶瓷CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系材料。提出了需要进一步思考和解决的问题。     

BiNbO4微波介质陶瓷的研究

本文研制V2O5和V2O5－CuO复合添加的BiNbO4微波介质陶瓷．实验结果表明：CuO－V2O5复合添加，比单独加入V2O5能大幅度地降低BiNbO4陶瓷的烧结温度，有效地抑制晶粒异常生长，促使瓷体晶粒尺寸较为均匀和致密，降低高频和微波频率的tanδ值．CuO-V2O5复合添加BiNbO4介质陶瓷，在3GHz频率下，εr＝44；Q＝2000     

升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响

低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。     

TiO2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响

本文对ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒状况和纯度对Ｙ＾３＋掺杂ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ材料的显微结构、电性能的影响作了探讨，结果表明，ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到ＰＴＣＲ陶瓷的显微结构，ＴｉＯ２原料的晶型对ＰＴＣＲ陶瓷半导化过程有影响，原料存在杂质和团聚，将使ＰＴＣＲ陶瓷的电阻－温度特性变差。     

冰箱启动恢复时间与元件性能的关系

本文对两组组分，烧结前工艺完全相同，仅采取不同升温过程制备的样品在电阻－温度特性，耐电强度，显微结构上的差异，导致它们作为冰箱启动器元件在恢复时间上的差别的现象作了分析。认为材料的电阻突变率α值和电压效应是影响恢复时间快慢的两大原因。     

Zn含量高的Nb2O5-ZnO-Bi2O3系高频介质陶瓷

研究Ｚｎ含量高的Ｎｂ２Ｏ５－ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３系高频介质陶瓷,实验结果表明,组成的特征为混合多相结构,除了主晶相为立方焦绿石相之外,随组成变化,尚能生成ＺｎＯ,ＺｎＮｂ２Ｏ６,Ｚｎ３Ｎｂ２Ｏ８,ＢｉＮｂＯ４等相,立方焦绿石相具有高的εＺｒＯ相约出现降低ε及增大ｔａｎδ而ＺｎＮｂ２６,ＢｉＮｂＯ４等相的出现使ε,ｔａｎδ同时降低,并改善电容温度系数。     

低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷

本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果, 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结温度９００‘ Ｃ, 介电性能为： εｒ ＝ １５０ ～１７０ , ｔａｎ δ＝ ０００２ ～０００８ （１００ Ｍ Ｈｚ） , 电容温度系数（ Δ Ｃ Ｃ） ±５ ％（１ Ｍ Ｈｚ）