蒸镀碳化铪(HfC)对单根碳纳米管场致发射性能的改善

采用双向电泳法,在原子力显微镜探针尖端组装了单根碳纳米管,在真空环境下对比测量了单根碳纳米管蒸镀低逸出功材料HfC前后场致发射电流曲线和电流噪声的特点。证明了HfC蒸镀在碳纳米管上能够显著降低发射体的逸出功,减少电流噪声,并且观察到单根碳纳米管蒸镀了HfC后7μA左右的稳定电流发射。通过分析电流噪声,认为碳纳米管场致发射噪声主要来自吸附气体的频繁吸附和脱附。在低电流下,空间电离的离子轰击发射体表面,对吸附状态的影响占主导地位。当单根碳纳米管的场致发射电流超过1μA量级以后,碳纳米管表面温度快速升高,温度对气体吸附的影响占主导地位,吸附的气体分子逐渐脱附后,电流噪声开始降低。     

金属基底上定向碳纳米管阵列的生长及其场发射性质

在金属基底上,以铁为催化剂,硅做过镀层,乙烯为源气体,通过普通的化学气相沉积方法生长出垂直基底排列的碳纳米管(CNT)阵列.扫描电子显微镜和透射电镜观察表明,生长的CNT具有阵列形貌和多缺陷的结构.对CNT阵列的场发射性质进行了测量,在10 μA/cm2时不锈钢和镍基底上的开启电场分别为1.25 V/μm 和1.57 V/μm.     

采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究

本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段,对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带,本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．     

关于相对论增强因子S′(Z)的研究和讨论

在研究穆斯堡尔同质异能移时,需要知道相对论的核内电子浓度。1984年D.A.Shirley引入了相对论增强因子S′(Z),假定它是一个只依赖于核电荷Z的量,这样,当计算核内电子浓度时,可以首先利用HartreeFock方程,然后将所求的非相对论核内电子浓度乘上这个因子S′(Z)。获得相对论的核内电子浓度,进而用于同质异能移的研究中。 本文通过解相对论Dirac-Fock-Slater方程,直接得到相对论的核内电子浓度,并以穆斯堡尔原子~(73)Ge、     

定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进

本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且根据Fowler-Nordheim曲线斜率的变化,估算出纳米线阵列的功函数从3.6 eV降到了2.2 eV.     

气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Ｓｉ（１００）片上制备了一系列的ＣｅＯ２膜。Ｘ射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的ＣｅＯ２膜为（１１１）取向,在较高的氧压了生长的膜则为（１００）取向。研究表明,ＣｅＯ２膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对ＣｅＯ２薄膜结晶取向影响的可能机理。     

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要.理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象.     

碳纳米管冷阴极超高真空鞍场规的电场模拟与实验研究

在静电鞍场规的基础上研制了一种碳纳米管(CNT)冷阴极鞍场规(SFG).这种冷阴极鞍场规具有电极尺寸小,吸放气率低,热效应低,功耗低的特点.本文首先计算了碳纳米管冷阴极鞍场规的电场分布,计算结果表明,二极型碳纳米管电子枪的引出栅极的正电位在低于100 V的情况下对环形阳极鞍场规的轴向电位分布影响很少;并且在现有条件下对规管参数进行了测试,实验测定的规管对空气的灵敏度是1.05 Pa-1,规管功耗由热阴极规的0.9瓦减小到7毫瓦.     

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一点 ,并解释了实验观察到的异常现象     

碳纳米管／UHMWPE复合材料的研究

利用化学气相沉积法合成高纯碳纳米管。用少量的碳纳米管就能改善UHMWPE的抗冲击、抗静电及导电性能。此复合材料可望用于同时需要耐磨、抗冲击、耐腐蚀的场合下使用的电子器件与电磁屏蔽材料等。