( Ti| Me) ( C,N) / Ni 的润湿性及其价电子结构

运用座滴法研究了( Ti , Me) (C , N) / Ni 体系的润湿性;运用经验电子理论( EET 理论) 计算了多元陶瓷相的价电子结构(VES) , 建立了陶瓷相化学成分与价电子结构的关系, 并建立了价电子结构与接触角的回归关系式。结果表明, 提高温度、延长保温时间均使体系接触角减小; 碳化物的添加使体系接触角进一步减小,碳化物改善润湿性能力的大小依次为: Mo₂C > TaC > WC > VC > NbC。不同碳化物的添加均能导致最强键上共价电子数n_A 增加, 其中添加VC 的影响最为明显, 依次为VC > Mo₂C > NbC > WC > TaC。      

纳米TiN改性金属陶瓷刀具的磨损性能研究

研究了纳米TiN改性TiC金属陶瓷刀具（纳米改性金属陶瓷刀具，下同）与普通Ti（C，N）基金属陶瓷刀具及硬质合金刀具在切割正火态45钢时的磨损曲线及磨损机理。结果表明：纲米TiN改性TiC基金属陶瓷刀具的效果明显；与硬质合金刀具相比，纳米改性金属陶瓷刀具优良的综合性能使其具有更同的耐磨性。刀具的失效形式主要是磨损及崩刃。     

纳米TiN改性金属陶瓷刀具的磨损性能

Ti(C,N)基金属陶瓷由于具有优良的综合性能因而被广泛用作刀具材料。本文探讨了纳米 Ti N对 Ti C基金属陶瓷刀具显微组织的影响 ;还研究了它与 Ti(C,N)基金属陶瓷刀具 (cermetμm,下同 )及 YG8刀具在切削灰铸铁时的磨损曲线及磨损机理。结果表明 ,纳米 Ti N改性 Ti C基金属陶瓷刀具 (cerm etnm,下同 )的效果显著 ;与 cermetμm刀具及 YG8刀具相比 ,cermetnm刀具具有更高的寿命与耐磨性 ;崩刃是 cermetnm刀具主要的失效形式     

(Ti,Mo,W,Ta,V,Nb)(C,N)多元陶瓷相的价电子结构

运用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了(Ti,Mo,W,Ta,V,Nb)(C,N)多元陶瓷相的价电子结构.结果表明,价电子结构参数(nA)随碳化物添加量的增加而增加.不同碳化物对价电子结构参数的影响不同,其中VC的影响最为显著.价电子结构参数(nA)可以用来评价金属陶瓷的力学性能,提出了相关的判据关系式.     

纳米TiN颗粒增强TiC-WC-Mo2C-Ni-Co金属陶瓷的组织和力学性能

纳米颗粒增强金属陶瓷材料具有优良的力学性能因而受到广泛关注。介绍了纳米颗粒增强金属陶瓷的实验制备、组织和性能,重点论述了微观组织中的芯/壳结构。研究表明,随着Mo2C添加量的增加,金属陶瓷的组织存在着变细的趋势。当Mo2C含量为10%时,金属陶瓷材料硬度出现最大值。     

层状磁电复合材料制备的研究进展及展望

磁电复合材料是具有磁电效应的新材料,它具有广泛的应用前景。本文介绍了磁电复合材料的主要类型,重点阐述了层状磁电复合材料制备的主要方法和特点。最后展望了进一步的研究方向。     

钙钛矿结构固体氧化物燃料电池阳极材料研究

钙钛矿型氧化物(ABO3)由于其混合导电能力及其在高温氧化还原气氛下具有较好电催化活性和化学稳定性,而且对硫、碳、氧具有良好的容耐性,因此被广泛应用于作为固体氧化物燃料电池的阳极材料.概述了阳极材料的特点及钙钛矿结构的阳极材料的进展情况,对钙钛矿结构的阳极材料的制备方法及性能进行了总结.     

LSGM固体电解质薄膜制备的研究进展

Sr和Mg掺杂的稀土钙钛矿型氧化物LaGaO3(LSGM)是具有广泛应用前景的固体电解质材料.本文综述了LSGM薄膜制备的主要方法,讨论了各种方法的优缺点,最后对LSGM薄膜制备方法的进一步研究方向进行了展望.     

磁电复合材料的研究现状及发展趋势

磁电复合材料是一种具有磁电效应的新材料,它具有广泛的应用前景。本文综合介绍了磁电复合材料的研究现状,阐述了各种磁电复合材料的制备过程和主要特点。最后指出了目前磁电复合材料研究中存在的问题和发展趋势。     

溶胶凝胶法合成CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3磁电复合薄膜

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si基片上旋涂制备了CoFe₂O₄/Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃层状磁电复合薄膜(2-2型)。利用XRD分析了薄膜的相组成, 运用SEM研究了薄膜表面和断面的微观形貌, 并研究了薄膜的铁磁和磁电耦合性能。研究表明, 低浓度的CFO前驱体溶液能显著改善薄膜的微观形貌, 磁电复合薄膜多层纳米结构清晰平整。复合薄膜表现出良好的铁磁性能, 磁场平行和垂直于薄膜表面的饱和磁化强度分别为298 和 272 emu/cm³。随着外磁场(H_Bias)的增加, 复合薄膜的磁电电压系数(α_E)有逐渐减小的趋势; 在H_Bias接近0时, α_E达到最大值。随着复合薄膜磁性层间距的减小, 静磁耦合效应的增加, α_E存在上升趋势。