现代胶印机输墨系统性能分析及改进研究

<正>胶印机输墨装置一旦设计出来,就可以计算其静态性能指标。这些指标多与印刷机的运动状况无关,所以不能准确反映印刷时油墨层的均匀程度。随着印刷机速度的不断提高,用这些静态指标对印刷机性能进行评价显然不够,分析输墨系统要全面考虑静态和动态两个方面。动态性能参数和静态性能参数之间有     

改进PSO的飞机驾驶舱组合排序人机布局优化

飞机驾驶舱在人机布局优化过程中具有显著的特殊性和较高的复杂性,因而有必要采取合适的优化程序和优化方法以提高优化效率。利用组合排序方法,结合多目标优化问题的求解思路,建立了高度非线性的目标函数,为避免陷入局部最优,将粒子群算法首次引入飞机驾驶舱的三维布局分析中,并引用改进粒子群算法,提出了适合我国飞行员标准的人机布局优化新方法。由于待布物数量较多,基于Kendall’s W确定了待布物的大致组合排序;利用改进粒子群算法依次求得待布物的最优解,彼此协调后,获得了优化布局新方案,并与基本粒子群算法等现有典型优化算法的优化效果进行了对比;对布局方案进行了计算机仿真,利用JACK对优化方案和原方案进行了对比分析,验证了该优化方法在解决飞机驾驶舱人机布局优化问题的可行性和有效性。     

Bi改性铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的温度稳定性

铌酸钾钠基压电陶瓷(Na0.53K0.41Li0.06)Nb0.955Sb0.045O3的正交–四方多型相变在室温附近,具有良好的压电性能,但其温度稳定性很差。通过掺杂Bi2O3,使该陶瓷的正交–四方多型相变温度tO-T从15℃降低到了–9℃,同时保持了较高的居里温度tC(368℃),从而显著改善了其压电性能的温度稳定性。由于Bi3+施主掺杂作用和Sb5+较强的电负性,改性后的陶瓷保持了优良的电学性能:d33=213pC/N,kp=0.441,ε3T3=1319,tanδ=0.016。     

旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.     

加工中心位置传感器的替换

我厂多年前买进两台控制系统经过更换的立式加工中心。在使用过程中,其中一台出现自动换刀系统(ATC)的刀具运送器故障,经测量发现其中一个位置传感器损坏。这种传感器是苏联生产的NPN型带缺口式的接近开关,国内很难买到此产     

钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象

测量了（Na0.5Bi0.5)TiO3和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷从20－500℃的介电温谱。发现（Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷在150－350℃和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷在30－300℃的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现,对于（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷直至室温附近的热滞现象,与其常温下处于三角－四方准同型相界（MPB）附近有关,而且这一热滞的存在必然影响（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷谐振频率等有关压电性温度稳定性。     

基于MATLAB软件的印刷机高点闭牙共轭凸轮机构

高点闭牙机构因其特有的技术优势在现代单张纸印刷机上开始广泛应用,针对其共轭凸轮驱动机构。文章研究了其设计方法,给出了参数化设计流程,利用MATLAB软件开发了计算机辅助设计平台,并进行了实例分析。该软件可以根据设定参数,设计出凸轮曲线,进行压力角校核,并分析机构运动。     

探讨GPS技术在地形复杂矿山变形监测中的应用

由于地下开矿活动,破坏矿山地质环境,影响地表稳定性,采用GPS测量技术观测,可有效监测地表位移和沉降。通过基线长度变化,准确反映出地面点平面位移量。在小范围内,利用GPS大地高的变化计算监测点的沉降量。GPS监测技术无需通视、布网灵活,平面位置精度高,在地形复杂矿山变形监测中具有不可替代优势。     

溶胶-凝胶法制备锰掺杂 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅陶瓷的压电特性

用溶胶-凝胶工艺制备了 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 + x wt% Mn (x=0- 0.4)系列无铅压电陶 瓷.研究发现适量锰的掺杂可以有效地降低材料的介电常数和介电损耗,同时提高材料的退极化 温度,但过量锰的掺杂使得材料的压电特性变差.当锰的掺杂量为 0.1wt%时,陶瓷具有该系列最 大的压电常数( d33=175× 10- 12C/N)、最大的机电耦合系数 kt=56%, kp=26%)、较小的介电损耗 tgδ =2.7%,较高的退极化温度( Td=82℃).     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3陶瓷的介电和压电性能研究

研究了Ｎａ_０．５Ｂｉ_０．５ＴｉＯ_３和（Ｎａ_０．５Ｂｉ_０．５）_０．９４Ｂａ_０．０６ＴｉＯ_３陶瓷的电滞回线、压电性能和热滞现象·得到（Ｎａ_０．５Ｂｉ_０．５）_０．９４Ｂａ_０．０６ＴｉＯ_３陶瓷的剩余极化Ｐ_ｒ＝１９ｕＣ／ｃｍ^２、矫顽场Ｅ_ｃ＝４．７ｋＶ／ｍｍ．发现用适量的Ｂａ^２＋取代（Ｎａ_０．５Ｂｉ_０．５）^２＋尽管压电性能有所提高,但同时使得材料的温度稳定性大大降低．