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Mg17Al12相电子结构计算与键络分析 总被引:4,自引:0,他引:4
基于EET理论,计算了Mg-Al系合金中主要的强化相γ-Mg17Al12的价电子结构,分析了其键络空间分布。Mg17Al12空间键络由Al-Al原子集团主键络、Al-MgⅢ次键络和Al-MgⅡ、Al-MgⅠ弱键络及MgⅡ-MgⅢ层状键络组成,其中Al-MgⅢ原于形成的弱键G是整个键络的薄弱环节。Mg17Al12晶内、晶界弥散析出,钉扎位错运动,阻碍品界滑移传递的强化作用主要依靠Al-Al原子集团主键络。通过合金化增强Mg17Al12弱键G是改善其热稳定性,提高Mg-Al基合金工作温度的有效途径。 相似文献
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包钴球型Ni(OH)2在充放电过程中的结构变化 总被引:2,自引:1,他引:1
通过化学镀的方法在碱性可充电电池正极活性物质———球形Ni(OH)2表面包覆了金属钴。通过恒电流充放电实验发现,球型Ni(OH)2表面包钴后,可明显提高活性物质的利用率,增加电极反应的可逆性。用XRD法比较研究了包钴和掺钴球型Ni(OH)2正极在充放电过程中相的生成和变化。结果表明:在充电过程中,掺钴的球型Ni(OH)2极易生成γNiOOH,而包钴的球型Ni(OH)2可抑制γNiOOH的生成;在放电至正极电位为0.1V(vs.HgO/Hg电极)时,掺钴的球型Ni(OH)2还明显存在γNiOOH,而包钴的球型Ni(OH)2只存在少量γNiOOH。这说明在球形Ni(OH)2颗粒表面包覆钴镀层后,其导电性能得到提高,从而更有利于充放电反应的进行,而γNiOOH得到抑制对于提高Ni(OH)2电极的循环寿命是有好处的 相似文献