光热辐射光谱探测灵敏度的研究

着重讨论了光热辐射光谱(PTR)技术的探测灵敏度问题,用该方法测量了Cu_2O和GaAs两种材料的吸收边。测出Cu_2O的吸收边在631.5nm和641.0nm处明显有两个拐点,但用于GaAs基本吸收边测量时,其信号约比Cu_2O的信号小一个数量级。分析指出,当所选红外探测器的响应波长范围刚好与被研究材料的红外强辐射带一致时,可大大提高PTR的探测灵敏度。     

改进的高灵敏度光声室频率特性的研究

采用被测样品本身做光声室窗,并采用反射镜将透射光反射回样品,使光声信号提高了1.5倍,用此光声室对单晶硅的频率特性进行了研究,其理论计算和实验结果符合得较好。     

单晶硅的光收吸与样品厚度的关系

本文研究用压电陶瓷做声接收器,单硅晶的光声(PA)信号与样品厚度的关系。首先对劈形样品进行实验。将样品竖直粘着在压电陶瓷上,并使压电陶瓷的平面与光束方向平行。当激光束在样品上由薄到厚(或由厚到薄)移动时,测出对应每一厚度位置时的光声信号。最初PA信号随样品厚度增加,在样品厚度为0.5mm处,曲线出现一峰值,然后再随样品厚度的增加,PA信号又逐渐减小。为进一步验证实验结果的可靠性,我们又对厚度不同的均     

NaCl共线光热光偏转光谱频率特性的研究

研究了NaCl共线光热光偏转光谱的频率特性;研究了激发光束和探测光束之间的夹角及激发光束功率的变化对频率特性曲线的影响,也对影响光热光偏转信号的实验条件进行了初步的探讨.