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公开号:CNA;公开日:..;申请人:张日林本发明公开了一种陶瓷增强铜合金及其制备方法 该铜合金包括铜基体材料和作为增强相的硼化物陶瓷;作为增强相的硼化物陶瓷占铜合金重量的%~%;硼化物增强相是二硼化锆 《材料保护》2000,33(8):17
陶瓷增强铜合金及其制取方法公开号 :CN12 5 0 10 8A ;公开日 :2 0 0 0 .4.12 ;申请人 :张日林本发明公开了一种陶瓷增强铜合金及其制备方法 ,该铜合金包括铜基体材料和作为增强相的硼化物陶瓷 ;作为增强相的硼化物陶瓷占铜合金重量的 2 %~ 8% ;硼化物增强相是二硼化锆 (ZrB2 )或二硼化钛 (TiB2 ) ;该方法包括冶炼法和粉末冶金两种方法 ;本发明所提供的陶瓷增强铜合金可以用于微电子工业中大规模集成电路的引线框架材料、接插件材料、电阻焊电极材料 ,以及一些要求高导电性、高强度、高软化温度的应用领域。低钴镧镨铈 镍系贮氢合… 相似文献
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用常规方法制备了一系列Y型分子筛,测定了其热稳定性。催化裂化及氢转移活性,采用模式识别方法,对Y型分子筛组成与其催化裂化性能的关系进行了深入的分析,其结果有助于催化裂化催化剂的设计和信息积累。 相似文献
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公开号: 公开日:.. 发明名称:电子元件的Fe-Ni 合金发明人:小野俊之深町一彦本发明提供用于电子元件的具有提高的蚀刻系数的Fe-Ni合金材料 其特征是按重量计其由%~%的Ni .%或更少的Mn .%~.%的N .%或更少的AI 剩余量的Fe和不可避免的杂质组成 并量好有.%或更少的C .%或更的Si .%或更少的S .%或更少的P .%或更少的。通过将N和AI含量限制在一定的范围内 并最好将C Si P S和O的含量限制在一定的水平以下 Fe-Ni合金材料具有很高的蚀刻系数 《铁合金》2001,32(2):4
公开号:1194309公开日:19980930发明名称:电子元件的FeNi合金发明人:小野俊之深町一彦本发明提供用于电子元件的具有提高的蚀刻系数的FeNi合金材料,其特征是按重量计其由30%~55%的Ni,0.8%或更少的Mn,0.0030%~00100%的N,002%或更少的Al,剩余量的Fe和不可避免的杂质组成,并量好有001%或更少的C,003%或更的Si,0.005%或更少的S,0.005%或更少的P,00100%或更少的O 。通过将N和Al含量限制在一定的范围内,并最好将C,Si,P,S和O的含量限制在一定的水平以下,FeNi合金材料具有很高的蚀刻系数,… 相似文献
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