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一般来说,为了获得更多的内存有三种可选办法:一是外部配置,即通过增加内存条来扩大内存;二是内部配置,即最大限度地利用已有内存,比如运用内存优化程序Memmakerexe等调整设备驱动程序或其他内存储留程序占用内存方式;三是在WINDOWS环境下,利用交换文件(SWAPFILE)获得更多内存。本文将着重从后两个方面探讨这一问题。一、几个常用的术语l.常现内在(ChflVentiofl。IMemcry):是指微机中实址操作可寻址的RAM数量,为640KB(见图1),常现内存由hos直接管理,不需要专门的内存管理器。2上位内有区(UpperMemoryArea)… 相似文献
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(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 总被引:7,自引:3,他引:4
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少. 相似文献
103.
Y2-xSmxW3012(x=0.0~0.4)样品通过传统固相反应合成,用X射线粉末衍射测定了样品的晶体结构。室温X射线粉末衍射在中国科学院研究生院无机材料实验室的MSAL-XD2X射线粉末衍射仪上进行, 相似文献
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105.
介绍了一种基于ARM及FPGA的双冗余主机模块化嵌入式测控系统的设计方法,系统具有可靠性高、功能强、扩展能力好、体积和功耗小等优点,克服了以往工业控制计算机的缺点,特别介绍了基于ARM的双冗余主机设计及基于FPGA的系统内部高速并行总线设计。 相似文献
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107.
108.
为适应氢(氘)化物中子散射测试需要,研制了1种便携式氢(氘)气反应装置。在设计上,考虑了性能、操作、维护、安全等因素,不但可进行p-c-T曲线测定等常规试验,且可用于中子衍射仪对吸放氢过程进行原位测定。为获取较高质量的原位衍射数据,研制了Ti-Zr零基合金和高Mn奥氏体钢样品室,并采用可拆卸式保压密封设计。用自行编制的计算程序对温度和压力等影响因素进行了校正,减小了系统误差,并实现了对压力和温度等参数的微机监控。装置已成功用于氢(氘)化物原位衍射实验。 相似文献
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