系列文章之三Muitisim8.0在模拟电子技术实验中的应用

Muitisim8.0界面友好、操作方便。尤其将原Multisim7版本中的电阻、电容和电感的Component栏增加了Filter栏，使调用元件时更方便；同时，将原Muitisim7版本电阻单位的标注“ohm”，可通过Font设置成“Ω”；电容单位的标注“μF”改成了“μF”；电感单位的标注“μH”改成了“μH”，更贴近实际。在功能上基本和Multisim7版本一样，使得Multisim7版和Muitisim8.0版互相兼容。     

桥带电阻的数值模拟研究

从理论上对桥带电阻进行了数值计算，研究了桥带尺寸、环境温度及各种因素与桥带电阻的关系，为确定桥带电阻的控制参数和质量标准提供科学依据．     

单边接地MESFET及其寄生效应的分析模型

本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低噪声放大器GaAs单片电路,取得了良好效果。本文也给出了这种器件寄生效应的分析模型,并计算讨论了栅靶、空气桥以及接地块等寄生元件对器件的散射参数和噪声参数的影响。     

从引进610ERW机组透视东西方技术价值观念的差异

我国引进的610ERW机组大多来自欧美和日本等国,其工艺参数和设备结构有所不同,例如成型机、高频焊机、中频正火装置、连续与非连续生产方式、全线设备(入口段、成形段和精整段)组成的匹配模式以及设备国产化的程度等.通过对东西方有关高频电阻焊技术价值观念差异的分析,总结我国引进610ERW机组的经验,为今后企业引进、消化引进和技术创新提供参考.     

一种新的二次电缆屏蔽层接地方法

提出一种新的二次电缆屏蔽层接地方法，即在开关场的一端经适当电阻接地，位于控制室的另一端直接接地。就不同电磁干扰耦合方式下二次电缆屏蔽层采用新型接地方法和传统接地方法时的抗干扰效果进行了分析比较，并对较为复杂的感性耦合方式进行了着重分析，发现采用新方法可以获得较好的电磁兼容效果，并可有效解决因地电流过大而可能烧毁屏蔽层的问题。     

110kV南屏～石山N14～N19架空线改电缆工程施工

就珠海市横琴保税区110kV架空线改为电缆敷设的问题，详细阐述了该工程的施工方法和施工中的技术问题及处理方法。     

接地故障保护的设置和整定(三)

7 TT系统接地故障保护 TT系统的电源中性点直接接地,而电气设备的外露可导电部分则经各自的PE线接地。这样在大多数情况下,由于故障回路包括两个接地电阻,使接地故障电流太小,不足以使过电流保护动作切断接地故障电流。而且由于故障电流小,故障点未被熔焊,故障点阻抗是难以估计的接触电阻。因此,TT系统接地故障回路阻抗和故障电流难以估算。所以,必须设置漏电电流动作保护。