多孔硅电学特性研究

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P 型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.     

多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响

研究了多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响机制.以P 型硅片为基底,通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅.采用微拉曼光谱法对多孔硅的热导系数进行了测量,结果表明,多孔硅的热导系数随其孔隙率的增大而明显下降,实验中热导系数最低可达到0.624W/(m·K),从而通过降低热导系数使多孔硅的绝热性能得到了增强.     

中高淬透性钢末端淬火的数值模拟

采用非线性有限元法研究了中高淬透性钢的一种末端淬火过程。温度场的求解考虑了端淬试样端部及侧面的散热，同时考虑了材料的热性能参数随组织及温度的变化及表面换热系数随温度的变化。扩散型相变的组织场计算基于叠加原理及Avrami方程，而非扩散型相变的计算基于K-M公式。模拟结果表明：马氏体仅存在于距端面约30mm的区域，贝氏体分布于距端面约10～110mm的区域，而距端面110mm以上全部生成珠光体组织。试验同模拟结果基本吻合。     

（英）离子束溅射法制备碳化锗薄膜的红外光学特性和力学特性

采用离子束溅射法通过在CH4和Ar 的混合气体中溅射Ge靶材制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜.分别通过原子力显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱以及纳米压痕测试研究了薄膜的表面形貌、化学结构、光学特性和力学特性.同时分析了制备薄膜时的离子源束压和薄膜性质之间的关系.结果表明,薄膜的粗糙度随束压的增大而减小.在较高束压下制备的薄膜含有较少的C元素和较多的Ge-C键.薄膜具有非常好的红外光学特性和力学特性.薄膜在较大波长范围内具有良好的透光性能.C元素含量随着束压的升高而降低,进而导致薄膜的折射率在束压从300 V增大到800 V的过程中逐渐升高.薄膜的硬度大于8 GPa.由于薄膜中的Ge-C键代替了C-C 键和C-Hn键,薄膜的硬度随束压的增加逐渐增加.     

基于VxWorks网络协议栈的数据采集协议设计

嵌入式实时操作系统Vxworks的网络协议栈提供了灵活的接口,可以方便地加入新的自定义的网络协议或底层驱动。详细分析了网络协议栈的结构以及MUX（multiplier）接口,并阐述了通过MUX在网络协议层添加一个新协议,用于采集所有发给本结点数据包的首部,并对采集的信息进行分析。     

基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜，调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同，薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200℃时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0．03／℃，并发现基片温度越高，薄膜在室温附近的电阻率越低，电阻温度系数绝对值也越小。     

四川盆地东北部构造成因探讨及未来天然气勘探方向

四川盆地东北部由于力学环境复杂且不稳定,因而形成了较为特殊的构造形迹组合,特别是其在平面上构造形迹变化更加特殊.构造形迹是古地应力场综合作用的结果,本文从现有的构造形迹出发,结合构造演化史,进行构造几何学特征分析,进而探讨构造形迹在平面上变化的原因,并在地质分析的基础上,对其正确性进行了验证.同时指出在该区进行天然气勘探的主要方向.     

STE—2反场箍缩极向偏滤器实验的首批结果

已在有一个外偏滤器室的放电容器中产生了有单极向零的反场箍缩。在目前的实验中没有装上导电壳。极向偏滤器位形维持的时间为壁的时间常数，在磁起伏中ｍ＝１撕裂模的优势不受偏滤器位形的影响。采用偏滤器位形和在偏滤器电流达到主等离子体电流的３０％的情况下，极向偏滤器都没有引起对等离子体性能的有害效应。     

微电子机械系统(MEMS)中的铁电器件

提出了一种将铁电材料与MEMS集成的新趋势,并介绍了几种在这种趋势下应运而生的最新的微传感器和微执行器.