射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取

金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段.键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物　理参量,均对器件性能有很大影响.采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模　仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线...     

基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计

结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路.依据这个思想,并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心,设计了一款超宽带低噪声放大器.采用安捷伦的ADS,对设计的放大器进行了仿真验证.结果表明,该放大器在3.1～6 GHz带宽内,S21高于11 dB,且变化不超过3 dB;S11和S22都在-15 dB以下;S12低于-20 dB;放大器的噪声系数在1.3～1.7 dB之间,群延时在整个频带内变化在15 ps左右,且在整个频带内无条件稳定.放大器良好的性能证明了提出的设计思想的正确性.     

多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计

利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。     

一款多种优异性能集于一体的高频压控有源电感

提出一款多种优异性能集于一体的高频压控有源电感(HFVCAI)，主要由分别配置1个外部电压调控端的第一交叉耦合单元、第二交叉耦合单元和配置2个外部电压调控端的调控单元构成。其中，第一和第二交叉耦合单元并联，且调控单元与它们串联，通过不同单元间的协同配合和4个外部电压的联协调控，HFVCAI能够集3种优异性能于一身:电感值和Q值在同一高频点下皆能取得高的峰值;电感值能够在高频下大范围调谐，而与此同时，Q峰值却能够保持基本不变; Q峰值能够在高频点下大范围调谐，而电感值却能保持几乎不变。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺，利用射频工具ADS对HFVCAI的性能进行了验证。结果表明，电感值和Q值在12.78 GHz高频下同时取得高的峰值，分别为2 841.49 n H和2 118;电感值能够在12 GHz高频下从23.93 n H调谐至123.82 n H，而Q峰值基本保持在87; Q峰值在12.52 GHz高频下能够从26调谐至1 445，而电感值基本保持在401 n H。