一种基于COM技术GIS矢量图形组件的研究

本文探讨了组件式GIS(COMGIS)的矢量图形系统的架构,介绍了一种基于COM技术的GIS矢量图形编辑组件的实现方法,并时系统中类的设计和实现的关键技术进行了论述.     

沥青路面施工监理控制技术研究

通过分析沥青路面施工监理现状,指出了目前施工监理控制存在的问题。重点对沥青路面施工准备工作、基层施工、面层施工过程中的施工监理控制技术进行阐述,并提出了监理控制要点,可为施工一线提供经验参考。     

居家养老住宅改造需求调研

我国的老龄化已经成为严重的社会问题,养老院的数量和质量不能负担现有的老年人。该文通过发放网络调查问卷,收集并分析全国各地居家养老模式下老年人对住宅的改造需求,同时讨论技术上与经济上的可行性,就居家养老模式下现有住宅改造提出建议。     

数据挖掘技术在网络入侵检测中的应用研究

正1、研究背景1.1问题的提出。随着INTERNET在全世界的普及,越来越多的计算机用户可以足不出户地访问到全球网络系统丰富的信息资源。然而,伴随着网络上不断增加的信息共享和业务处理,计算机和网络的安全问题也显得越来越突出。在单机时代,只有物理上接近计算机的人才有可能获取或破坏计算机上的信息。而在互联网时代,物理上的距离已不再成为攻击者的障碍。从1988年造成互联网近5天瘫痪的著名的蠕虫事件,     

烧结温度对含有定向α-Si3N4晶须的Si3N4陶瓷的影响

利用流延成型使α-Si3N4晶须在基体中定向排列,并采用热压烧结技术制备了SGN4陶瓷.用X射线衍射和扫描电镜对陶瓷的物相和显微结构进行了研究,讨论了流延成型对坯体中晶须的分布状态的影响和烧结条件对所得到的块体的显微结构的影响.结果表明:流延成型和热压烧结可以使晶须呈一维定向排布;随着烧结温度的升高,烧结样品的相对密度增大;添加10.6%质量分数)α-Si3N4晶须在1500℃下烧结,Si3N4陶瓷的断裂韧性为9.24MPa·m1/2,Vickers硬度为15.740Pa.在1 600℃α-Si3N4转变成的长柱状β-Si3N4颗粒,大大提高了Si3N4陶瓷的力学性能,其断裂韧性和Vickers硬度分别为10.26MPa·m1/2和16.56GPa.     

缓冲特性可控的智能气囊装置实验研究

提出了一种可对气囊排气口进行实时主动控制的气囊装置，称为智能气囊。智能气囊是一种应用智能材料结构设计的智能缓冲构件，能在碰撞过程中实现主动缓冲，可使缓冲过载更为平缓。在对气囊内不可压流分析的基础上，推导了理想缓冲时排气口面积变化规律，并建立了主动缓冲模型。在此基础上设计了智能气囊实验装置，采用独立的传感、驱动、控制元件及气囊。驱动机构采用层叠电致伸缩驱动器设计．实验显示该机构具有良好的驱动性能；控制采用了一维的模糊控制方法。控与不控的对比实验证实了智能气囊装置具有主动缓冲功能。     

浅析煤矿电气设计无功补偿的重要性

煤矿企业变电所使用的大部分电气设备电压都在35kV以上,为了保障变电所的安全、可靠运行,技术人员采用无功补偿装置,以此来降低有功损耗,减少资源浪费,并增加煤矿企业的经济效益。本文就对煤矿电气设计无功补偿的重要性进行了探讨。     

基于AT89C2051的数据库磁盘阵列智能保护控制系统的设计

本课题主要设计并研制的是图书馆数据库在停电后的一种保护装置。本系统采用ATMAL公司的AT89C2051单片机为控制核心,它分别对不同情况下进行控制处理,实现对数据库主、从磁盘阵列库自动断电保护。系统中配合采用了少量的中小型继电器作为单片机信号给予器件和动作执行器件,自动切断数据库磁盘阵列库的工作电源。     

Si(NH)2热分解法制备Si3N4晶须的影响因素

利用Si（NH）2热分解法制备了Si3N4晶须，对实验原理和实验过程进行了详细描述，对实验中存在的温度、残留碳、微量氧、坩埚材质等可能影响晶须生长的诸多因素进行了分析讨论，说明了诸影响因素的影响程度和参与机理。通过对工艺过程中诸影响因素的控制，可以制备高质量Si3N4晶须或改性Si3N4晶须，对研究开发该法批量生产性能优异的Si3N4晶须的工作具有重要的参考意义。     

Comprehensive optimization of electrical and optical properties for ATO films prepared by pulsed laser deposition

Antimony doped tin oxide(ATO) thin films have been prepared by pulsed laser deposition(PLD) method.The intrinsic effect of Sb dopant,including the Sb content,transition degree between Sb~(3+) and Sb~(5+) and crystallinity on the electrical and optical properties of the ATO thin films is mainly investigated.It is suggested that the transition degree of Sb~(3+) towards Sb~(5+)(Sb~(5+)/Sb~(3+) ratio) is determined by Sb content.When the Sb content is increased to 12 at%,the Sb~(5+)/Sb~(3+) ratio reaches the highest value of 2.05,corresponding to the resistivity of 2.70×10~(-3) Ω·cm.Meanwhile,the Burstein-Moss effect caused by the increase of carrier concentration is observed and the band gap of the ATO thin films is broadened to 4.0 eV when the Sb content is increased to 12 at%,corresponding to the highest average optical transmittance of 92%.Comprehensively considering the combination of electrical and optical properties,the ATO thin films deposited with Sb content of 12 at%exhibit the best properties with the highest "figure of merit" of 3.85×10~(-3) Ω~(-1).Finally,an antimony selenide(Sb_2Se_3) heterojunction solar cell prototype with the ATO thin film as the anode has been prepared,and a power conversion efficiency of 0.83%has been achieved.