静止励磁系统中晶闸管损坏原因分析与判断

静止励磁系统中晶闸管损坏是常见故障之一，但造成晶闸管损坏的原因很多，如何根据一些故障现象找到晶闸管损坏的真正原因除要具备晶闸管的知识外，更需要一些晶闸管的使用经验，以避免相同故障的重复发生，甚至使事故扩大，维修成本增加。本文论述了静止励磁系统晶闸管选型设计时应注意的一些问题，分析了晶闸管损坏的原因，并提出了如何根据损坏后的晶闸管判断其损坏原因。     

失效评定图技术及其在含缺陷压力管道安全评定中的应用

主要以R6及EPRI的失效评定图(FAD)为基础,说明了以COD(裂纹张开位移)理论为依据的失效评定图技术向以J积分理论为依据的失效评定图技术转变的发展过程,并结合失效评定图技术在含缺陷压力管道失效模式的判别、安全系数和安全裕量的获取以及在周向裂纹管安全评定中的应用,来说明失效评定图技术在含缺陷压力管道安全评定中的应用及其优点。     

离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究

本文介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发，在碳化硅（Silicon Carbide: SiC）材料上制备硅改性薄膜的方法，研究了不同沉积速率下改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知硅膜层在沉积速率增大条件下结构趋于疏松。通过精细抛光改性的反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB-SiC）样品表面散射系数减小到1.46%，反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明硅膜无龟裂和脱落，性质稳定，与碳化硅基底可以良好的结合。     

具有多目标攻击能力的外挂物管理系统的初探

研究具有多目标攻击（MTA）能力的外挂物管理系统（SMS）是一个较新的领域，本文对这方面的一些问题进行了初步探讨。首先，简要分析了两种有代表性的现役的具有MTA能力的飞机的SMS，随后，着重探讨了具有MTA功能的SMS以及具MTA能力的中距导弹和SMS的关系。最后，对SMS的发展做了一些展望。     

电化学现场时间分辨拉曼光谱研究中的OMA编程应用

电化学现场时间分辨拉曼光谱研究中的ＯＭＡ编程应用高劲松，李五湖，钟起玲，田中群（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，化学系，厦门，３６１００５）ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＯＭＡＫｅｙｓｔｒｏｋｅｐｒｏｇｒａｍｍｉｎＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＴ...     

国外六代机发展情况研究

介绍了美国空军、美国海军、日本和俄罗斯正在发展的第六代战斗机的情况。叙述了目前各国六代机的进展,介绍了美国的几种六代机概念方案,分析了研究阶段、探索方式等方面的特点,并提出了一些有益的观点。     

美国空、海军下一代战斗机信息征询书概要和比较

介绍了美国空军和海军发布的下一代战斗机信息征询书, 即“下一代战术飞机能力要求信息”和“2030 年舰载攻击战斗机的关键能力需求调研”, 并对这两份信息征询书进行了比较。认为: 这两份信息征询书都代表了美国军方的观点, 通过比较分析, 可以从实证的角度得到很多美国军方关于六代机的真实想法, 另外, 这种基于实证的研究方法为国外六代机的研究提供了一个新的研究途径。     

锅炉管板开裂原因分析及处理

通过一起锅炉管板开裂事故，对管板与角板接处裂纹产生原因进行了分析探讨，并介绍了一种修复方法。     

RB-SiC基底反射镜表面改性工艺的改进

为了满足空间用大口径、复杂轻量化结构RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的需求,针对RB-SiC基底的特性,提出了改进表面改性工艺的方法.采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC基底进行了表面改性.测试结果表明:与单纯霍尔离子源辅助方法相比,该工艺方法制备的Si改性涂层生长得更加致密、均匀,抛光特性良好;改性抛光后表面粗糙度(rms)降低到0.635 nm,达到了S-SiC基底的水平;改性后RB-SiC基底的反射率明显提高,达到了抛光良好的微晶玻璃的水平.结果表明,该工艺方法是提高RB-SiC基底表面改性效果的一种合理有效的方法.     

一种提高空间用RB-SiC基底反射镜表面改性效果的有效方法

为了满足空间应用中大口径、复杂轻量化结构的RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的应用需求,针对RB-SiC基底的特性,改进了表面改性工艺方法。采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC基底进行了表面改性。测试结果表明：与单纯霍尔离子源辅助方法相比,此工艺方法制备的Si改性涂层生长得更加致密、均匀,抛光特性良好;改性抛光后表面粗糙度（rms）降低到0.635nm,已达到S-SiC基底的水平;改性后RB-SiC基底的反射率明显提高,已经达到抛光良好的微晶玻璃的水平。结果表明该工艺方法是提高RB-SiC基底表面改性效果的一种十分合理有效的方法。