应用于移动终端的线性功率放大器设计

设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离。电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路加强了电路增益。通过在偏置管的基极并联一个反偏二极管改善了功率放大器的线性。芯片采用基板的封装形式进行测试,改善了功率放大器的散热条件。测试结果表明该放大器具有27.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为34.1%,ACPR为-40.3 dBc。     

高效率Class F功率放大器的设计

本文基于InGaP/GaAs HBT(HBT为异质结双极晶体管)工艺设计了一款高效率的Class F功率放大器。文中首先描述了F类功率放大器的特点和电路原理,然后对放大器的设计过程如匹配电路设计技术、谐波抑制对功率效率的影响,以及偏置电路的设计等问题做了详细的讨论。测试结果表明,设计的功率放大器在电源电压为5V,输出功率为37dBm时,效率达68%。     

蒸发过程中液滴荷电情况分析

为了研究温度场引起的蒸发传质对荷电二次雾化的影响,采用蒸发模型及临界荷质比公式对液滴的不同温度条件下的稳态温度及其临界荷质比变化进行了计算,获得了液滴的稳态温度值的变化趋势及其寿命范围内蒸发作用下的临界荷质比。研究结果表明:不同初始表面温度的液滴处于相同的环境温度时,稳态温度最终会趋于一致,且初始表面温度越高,非稳态蒸发过程越短;初始表面温度一定的液滴处于不同的环境温度时,稳态温度随环境温度的升高而升高,且环境温度越高,非稳态蒸发过程越短;液滴初始粒径及环境温度一定,液滴的初始表面温度接近稳态温度时,破碎所需要的临界荷质比最小,且临界荷质比在初始表面温度在高于稳态温度时较初始表面温度低于稳态温度时要大;液滴的初始粒径和初始表面温度一定时,破碎所需要的临界荷质比随环境温度的升高而升高。     

木薯蚕茧酶法脱胶工艺及蚕丝性能研究

在浴比为1∶50的条件下,采用单因素控制法,分别探究脱胶温度、碱性蛋白酶质量浓度与脱胶时间对木薯蚕茧脱胶率的影响,寻找酶法脱胶的最佳工艺,并将酶法脱胶与碱法脱胶后的木薯蚕丝形貌、力学性能进行对比。结果表明:脱胶最佳工艺为温度50℃、酶质量浓度6 g/L、时间180 min。在最佳工艺条件下,木薯蚕丝的脱胶效果明显,丝胶被全部去除,表面光滑平整,蚕丝抗拉、抗断能力下降,断裂强力为5.82 cN,下降了13.09%。与碱法脱胶相比,酶法脱胶后的木薯蚕丝力学性能更好。     

芳纶纤维表面改性研究进展

分析了芳纶纤维目前存在的问题,综述了芳纶的各种改性技术进展,包括表面涂层、化学改性、物理改性等,并展望了芳纶纤维改性技术的发展前景.     

芳纶纤维表面改性技术研究现状与进展

芳纶纤维性能优异,但是其应用于复合材料必须进行表面改性。论述了芳纶纤维的改性方法,包括物理改性、化学改性及其他改性方法,并预测芳纶纤维表面改性的发展方向。     

有无煮茧工序的自动缫丝成绩对比及讨论

首先就有煮茧与无煮茧工序的自动缫丝分别进行了试验,然后对2种工艺路线所得的实缫数据进行对比,经过分析和讨论认为,相对于有煮茧工序缫丝而言,无煮茧工序缫丝存在内外茧层丝胶膨润不均匀的概率较大,导致实缫效果不好,且影响生丝品质,即省略煮茧工序的相关技术尚不成熟,有待进一步研究。     

一种应用于InGaP/GaAs HBT射频功率放大器的在片温度补偿电路

A new on-chip temperature compensation circuit for a GaAs-based HBT RF amplifier applied to wireless communication is presented.The simple compensation circuit is composed of one GaAs HBT and five resistors with various values,which allow the power amplifier to achieve better thermal characteristics with a little degradation in performance.It effectively compensates for the temperature variation of the gain and the output power of the power amplifier by regulating the base quiescent bias current.The temp...     

新型超高频RFID编解码和CRC电路的设计与实现

提出了一种新的超高频射频识别(RFID)标签芯片的数据编解码与循环冗余校验(CRC)计算同步进行的电路结构。该电路采用ISO/IEC 18000.6C标准协议,在数据编解码过程中同步进行串行CRC计算来提高系统数据的处理速度。采用FPGA进行仿真分析。结果表明,该设计方法可实现CRC编解码与RFID数据的编解码同步,即不占用额外的时钟处理CRC计算,从而满足超高频RFID的快速通信要求。所提出的串行CRC电路在SIMC 0.18 μm标准CMOS工艺下进行综合,其面积比并行CRC电路节省31.4%,电路算法更简单。