全文获取类型
收费全文 | 235篇 |
免费 | 28篇 |
国内免费 | 68篇 |
专业分类
电工技术 | 16篇 |
综合类 | 58篇 |
化学工业 | 14篇 |
金属工艺 | 5篇 |
机械仪表 | 32篇 |
建筑科学 | 4篇 |
矿业工程 | 2篇 |
能源动力 | 7篇 |
轻工业 | 7篇 |
水利工程 | 2篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 136篇 |
一般工业技术 | 26篇 |
自动化技术 | 19篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 4篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 20篇 |
2017年 | 7篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 12篇 |
2013年 | 12篇 |
2012年 | 17篇 |
2011年 | 29篇 |
2010年 | 32篇 |
2009年 | 32篇 |
2008年 | 23篇 |
2007年 | 29篇 |
2006年 | 18篇 |
2005年 | 27篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 10篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有331条查询结果,搜索用时 21 毫秒
121.
This paper investigates the effect of a non-uniform gate-finger spacing layout structure on the avalanche breakdown performance of RF CMOS technology.Compared with a standard multi-finger device with uniform gate-finger spacing,a device with non-uniform gate-finger spacing represents an improvement of 8.5%for the drain-source breakdown voltage(BVds) and of 20%for the thermally-related drain conductance.A novel compact model is proposed to accurately predict the variation of B Vds with the total area of devices,which is dependent on the different finger spacing sizes.The model is verified and validated by the excellent match between the measured and simulated avalanche breakdown characteristics for a set of uniform and non-uniform gate-finger spacing arranged nMOSFETs. 相似文献
122.
被动和主动隔振各有优势,主被动联合隔振是隔振研究的方向。针对船舰、高层建筑等柔性基础结构的振动隔离问题,以传递到柔性基础的功率流为目标函数,运用子结构导纳综合法推求主被动隔振的功率流传递控制式,对结构进行优化设计。探讨了两种主被动联合隔振的控制策略,最后通过模拟系统的数值例子得出了几个结论。 相似文献
123.
124.
125.
126.
铝合金拥有良好的抗腐蚀性、高模量、高强度,是现代动车车身的主要应用材料,但传统的焊接工艺条件限制了应用范畴,而激光焊和搅拌摩擦焊接技术在技术、效率和性能上存在明显优势,是化解上述问题的关键,本文将以其技术原理为切入点,来阐释其在动车组铝合金车体焊接中的应用性。 相似文献
127.
128.
129.
A novel double-πequivalent circuit model for on-chip spiral inductors is presented.A hierarchical structure, similar to that of MOS models is introduced.This enables a strict partition of the geometry scaling in the global model and the model equations in the local model.The major parasitic effects,including the skin effect,the proximity effect,the inductive and capacitive loss in the substrate,and the distributed effect,are analytically calculated with geometric and process parameters in the local-level.As accurate values of the layout and process parameters are difficult to obtain,a set of model parameters is introduced to correct the errors caused by using these given inaccurate layout and process parameters at the local level.Scaling rules are defined to enable the formation of models that describe the behavior of the inductors of a variety of geometric dimensions.A series of asymmetric inductors with different geometries are fabricated on a standard 0.18-μm SiGe BiCMOS process with 100Ω/cm substrate resistivity to verify the proposed model.Excellent agreement has been obtained between the measured results and the proposed model over a wide frequency range. 相似文献
130.