纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

盐浓度对交联聚合物线团形态的影响

用核孔膜过滤法 (过滤体积对过滤时间作图 )、动态光散射法 (DLS)和扫描电镜法 (SEM )研究了交联反应前后盐 (NaCl)浓度变化对低浓度HPAM与AlCit形成的交联聚合物溶液 (LPS)中交联聚合物线团 (LPC)形态的影响。所用HPAM相对分子质量 1.1× 10 7～ 1.4× 10 7,LPS中HPAM与Al的质量比 2 0∶1,HPAM浓度 0 .1或 0 .2 g/L ,交联反应温度 40℃ ,时间 7天。实验结果表明 :①LPC的平均水力半径Rh(DLS测定值 )随交联反应时盐浓度的增大先减小后增大 ,盐浓度由 0 .5 g/L增加到 2 g/L时Rh 由 45 0nm迅速减小到 2 5 0nm ,盐浓度增加到 2 0 g/L时Rh达到最小值 16 0nm ,此后随盐浓度的继续增加Rh 有所增大 ;盐浓度 0 .5和 2 .0 g/L时Rh 的SEM测定值分别为45 0和 2 5 0nm ,与DLS结果一致。②交联反应完成后改变LPS的盐浓度 ,也可改变LPC的Rh 值 ,但改变幅度较小 ;盐浓度 0 .5 g/L时形成的LPS ,当盐浓度增加至 2 g/L时 ,Rh 值由 45 0nm减小至 35 9nm ,大于盐浓度 2 g/L时形成的LPS的Rh 值 (2 46nm) ;盐浓度 2 g/L时形成的LPS ,当盐浓度减少至 0 .5 g/L时 ,Rh 值由 2 46nm增大至32 6nm ,小于盐浓度 0 .5g/L时形成的LPS的Rh 值 (4 5 0nm)。用盐浓度改变引起LPC水化层厚度改变 ,线团收缩或舒张解释盐浓度改变时Rh 测定值的     

用GPC普适校正法测定低相对分子质量聚异丁烯的相对分子质量及 …

采用凝胶渗透色谱仪，以已知特性胶数〔η〕的宽分布聚异丁烯为标准，在计算机上，采用“Ｍｏｔｅ Ｃａｒｌ”计划法计算聚异丁烯的Ｍａｒｋ－Ｈｏｕｗｉｎｋ方程的最佳Ｋ和α值，经普适校正法建立聚异丁烯的校正曲线。结果表明，用ＧＰＣ法测定的聚异丁烯数均相对分子质量与膜渗透法（ＶＰＯ法）测定结果相比较，其相对在误差在５％以下，提供的计算Ｋ和α值的方法既快速简便又具有实用性。     

锂铁氧体纳米晶的磁性能研究

我们用ＰＥＧ凝胶法合成出的ＬｉＦｅ＿５Ｏ＿３纳米晶，用ＸＲＤ和ＴＥＭ观测其粒径和形貌。用振动样品磁强计考察其比饱和磁化强度σ＿ｓ，随粒径口变化，得到样品的σ＿ｓ随Ｄ的减小而下降。     

对牙轮钻头刮削孔壁的探讨

本文通过数学计算，论证了非移轴布置的单锥体牙轮钻头和主锥超顶非移轴布置的复锥体牙轮钻头在工作中刮削炮孔壁的原因。     

CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１－２２ｎｍＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热－失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ），透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征，实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ２晶粒的生长，以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化。     

氢电弧等离子体法制备的纳米镍铈粒子的催化特性

利用氢电弧等离子法制备具有储氢特性纳米镍铈粒子，并在气相苯加氢反应中研究了其催化特性，发现其催化活性与储氢特性及表面层中ＮｉＣｅ合金存在有关，且具有高的选择性和热稳定性，这与纳米粒子独特的结构及铈的加入有关。     

纳米级BaAl_2O_4微粉的制备和性质

分别用溶胶 -凝胶法、低温固相反应法 ,制得了纳米级BaAl2 O4微粉 ,用电镜观察了其形貌和粒径的大小 ,用X-射线衍射仪进行了物相分析 ,测定了其纯度与晶型 ,讨论了制备方法与粒度大小的相互影响     

我国研制出手机纳米电磁屏蔽材料

我国研制出手机使用的纳米电磁屏蔽材料，可以阻挡手机的辐射。 北京晚报报道，中国科学院理化技术研究所研制的环保型纳米导电涂料，和现在的微米级产品相比，新材料由于使用的金属颗粒粒度小，可以提高手机的抗干扰能力，使手机的信号更清晰，同时还能大大降低电磁波辐射。 据指出，使用纳米材料可以使电磁屏蔽材料的电阻降低三分之二，成本下降五分之一，并解决涂布过程中的管道堵塞问题。 报道称，这项技术还可以应用于电脑、电视、军工等电子、电器产品上，从而大大减少电磁辐射。 该所还与海尔集团合作开发了纳米抗菌手机外壳技术。 …