石墨第一壁化学腐蚀的温度特性

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射高能氘离子束单独轰击或和一中和电子束联合轰击石墨以模拟等离子体辐照。石墨样品的温度从３００～１０００Ｋ可调。石墨样品是从进行过氢离子辐照实验的ＳＭＦ－８００石墨第一壁组件上切割下来的，它在氘束轰击下释放的产物（Ｍｅ－１＝２～４４范围内）用四极质谱探头ＳＱ１５６进行原位的分子束质谱分析，得到了在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨样品释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ温区有一个因增强的化学腐蚀而形成的释放高峰。分析研究了氘甲烷的温度特性     

Enzymatic Synthesis of Halogen Derivatives of Aromatic Amino Acids Labeled with Hydrogen Isotopes

The isotopomers of halogenated amino acids （2＇-F-L-phenylalanine, 3＇-F- and 3＇-Cl-L-tyrosine, as well as 5＇-F-, 5＇-Br-and 6＇-F-L-tryptophan） specifically labeled with deuterium at α- and 13-carbon atom of the side chain were synthesized by enzymatic catalyzed H/D exchange in fully deuteriated incubation medium. The extent and site of deuterium incorporation were confirmed by ^1H NMR （proton nuclear magnetic resonance） spectra.     

金属铈在过量氘气氛下的腐蚀行为研究

采用压力-体积-温度系统(PVT)与热台显微镜(Hot-stage microscope,HSM)相结合的方法,研究了铈(Ce)在过量氘(D2)气氛下的腐蚀行为;采用X射线衍射(XRD)仪和热脱附谱(TDS)方法分别考察了铈-氖反应产物的相组成及热稳定性。结果表明,铈在室温、初始压力43 kPa的氘气氛下,可快速与氘发生反应,形成饱和的铈氘化物CeD3,样品发生严重粉化;对饱和铈氘化物在不同温度下加热,可得到一系列不同氘含量的铈氘化物;所制备的铈氘化物在室温下均具有与金属铈类似的面心立方(fcc)结构,铈形成CeD_2的体胀约为24.3%,但随着氘含量的增加,铈氘化物会发生反常的体积收缩现象;热脱附谱测试表明CeD_3在120℃附近即可发生分解,而CeD_2则可稳定至600℃以上。     

钛中氘致裂纹的原位研究

采用热台显微镜(HSM)和压力-体积-温度(PVT)相结合的方法原位研究了钛在恒定温度及升温过程中的氘致裂纹(DIC)现象。结果表明:在550℃恒温吸氘(D2)过程中,钛片表面只出现很少的裂纹;而在由室温升温至550℃吸氘过程中钛表面出现了由边缘向中心部分扩展的环状裂纹。钛在升温过程中的形貌变化特征与"边缘进攻"模型符合;X射线光电子能谱(XPS)测试显示,由钛氧化物、碳化物和氮化物组成的钛表面钝化层在环状裂纹形成过程中发挥了重要作用。