如何提高我国IC陶瓷封装技术水平─—浅谈建立我国的封装技术中心

本文依据我国发展半导体、集成电路外壳制造技术和封装技术的几十年实践经验，从当今国内、外封装技术的研究发展出发，对如何提高我国IC陶瓷封装技术水平进行了分析和探讨。本文首先阐明外壳与封装的关系，然后介绍我国陶瓷封装技术的现状和差距，提出建立我国陶瓷外壳封装技术中心的意义、作用和实施方案。     

栅长为1.5微米延迟时间为50微微秒的高速GaAsFET逻辑器件

对于GaAs场效应晶体管来说,虽然栅长为1.5微米是够长的了,但仍能试制出电路延迟时间为50微微秒(功耗为5.7毫瓦/门)的GaAs场效应晶体管逻辑集成电路。与硅栅MOS场效应晶体管的制造方法相同,是以栅金属作掩蔽,用离子注入方法形成n~ 的漏区和源区。由于该n~ 层的横向扩散,不使栅金属和n~ 层不致电气短路,然后进行深离子注入,使表面载流子浓度稍微降低些。     

介绍一种新型的粒度分析仪PSI200

在线检测矿流粒度分布对指导生产操作和获取最佳经济效益至关重要。在检测原理上有重大突破的ＰＳＩ２００型粒度分析仪由四个部分组成，测量头是核心，控制手段利用了ＰＬＣ。其直接线性测量的原理带来了无可比拟的优越性，从而具有广泛的应用前景。     

一种新型旋涂硼掺杂剂

本文介绍了一种新型的旋涂硼掺杂剂。这种掺杂剂是根据硼-氮的化学性质制作出来的,它不同于根据硼-氧化学性质制作的常规旋涂硼掺杂剂。这种新的掺杂剂具有所有旋涂掺杂剂的优点,并且消除了以B_2O_3为基础的旋涂材料所存在的问题。业已表明:可以采用此种掺杂剂成功地进行标准的二步扩散和一步扩散。     

N—月桂酰谷氨酸的制备

本文叙述了 N-月桂酰谷氨酸的性质与用途及其合成方法,介绍了该产品的实验过程和分析结果。选用三氯化磷为酰氯化剂,控制pH=8～13,温度0～10℃,产品收率为90％左右。     

库里厄30在凡口铅锌矿的初步应用

本文介绍库里厄30型载流 x 荧光分析仪系统的配置、原理、功能、标定技术以及在凡口铅锌矿应用该系统取得的初步效果。     

矿浆载流X荧光分析仪的标定技术

<正> 前言近十年来X荧光分析技术日益广泛应用于选矿厂快速分析矿浆中的金属品位,它已成为实现选矿生产过程计算机控制的基础和必要条件。这种技术的典型产品是芬兰奥托昆普公司的库里厄—300型载流分析系统,其工作原理和系统构成已有文章介绍。由于X荧光光谱仪给出的信息是X射线强度,它是被测样品中元素含量的相对代表量而不是金属品位值,尤其是在选矿厂矿浆中经常含有其它共生元素,其X射线强度相互影响,矿浆浓度又经常波动,因此为了使X荧光分析仪得到满意的分析精度,不仅仪器本身质量要高而且在很大程度上取决于标定工作的好坏。标定技术属于X荧光分析仪     

1.20%铝冷轧TRIP钢的合金设计、工艺和力学性能

报道了含1.2%Al-0.1%C-Mn-Si冷轧TRIP600钢带的研究开发结果,通过合金设计、冶炼、热轧、冷轧和热处理在实验室成功地制备了TRIP600钢带,其屈服强度为390~420 MPa、抗拉强度650~700 MPa,伸长率30.5%~37.5%,强塑积21000~26000 MPa.%。作为热处理工艺设计的基础,通过Thermo-Calc软件计算了试验钢的相图、相组成、贝氏体转变TTT曲线和T0温度线。含质量分数为1.20%铝的冷轧TRIP600的成分设计和工艺参数可以作为工业试生产TRIP600的基础。