离子束辅助沉积薄膜工艺

阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积（IAD）中的应用；根据热力学原理及离子碰撞过程分析，研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程，建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型；探讨了各种工艺条件对离子束辅助沉积薄膜特性的影响，给出了薄膜材料无结晶条件下离子束辅助沉积薄膜工艺选择的相应准则。     

中兴通讯长途骨干网波分保护方式分析

引言 近期，为顺应GE／2.5G／10G等大颗粒数据业务的传送需求，并降低网络建设成本，IP Over WDM技术已逐渐成为各运营商关注的新一轮焦点技术。由于IP Over WDM技术的发展导致SDH层边缘化，IP传输将极大地依赖于WDM层面的保护，因此，IP 0VER WDM的演进对波分骨干网层面保护技术的灵活性和安全性、保护资源利用率、     

系统H∞范数计算:Lyapunov函数的直接优化方法

研究了李雅普诺夫函数的选择对求解系统H_∞范数的影响,提出了一种李雅普诺夫函数的直接优化方法,该方法通过优化黎卡提不等式中的李雅普诺夫函数,给出了H_∞范数的通用解析表达式,实现了二阶系统H_∞范数的精确求解.不同于需要繁琐优化过程的线性矩阵不等式（Linear matrix inequality,LMI）方法,本文提供了一种有效的途径以直接求解系统H_∞范数.     

非绝热近场光学诱导平滑硅表面微结构的电场模拟

如何进一步降低超光滑光学元件表面缺陷是现代超精密光学元件制作技术研究的热点之一。在传统抛光方法的基础上,引入非绝热近场光学诱导平滑硅表面微结构这一新型方法,进一步去除超光滑抛光表面残留的纳米级表面微缺陷,降低表面粗糙度。通过建立超光滑硅表面的微结构几何模型,采用时域有限差分法对表面微结构凸起在532 nm 激光作用下的局域电场增强进行数值模拟。对比不同尺度的微结构所激发的最大电场强度表明,在基底峰谷值小于25.5 nm 时,随微结构尺度递增,所激发的局域电场强度最大值约呈线性增长;随微结构倾斜率的逐渐递增,电场强度最大值也呈递增趋势。通过对激光诱导表面微结构调制电场的数值模拟,构建了硅表面微结构诱导平滑的物理图像,为描绘激光辐照下非绝热近场光学诱导平滑表面微结构的物理过程提供了有力的理论支持。     

模糊C均值聚类在萃取精馏塔软测量中的应用

丁二烯萃取精馏过程中 ,副产品抽余液 (BBR)的质量 (丁二烯含量 )和很多工艺参数有关 ,工艺参数之间又是相互关联、耦合的 ,并具有噪声。应用主元分析法 (PCA)将这些工艺数据进行压缩和抽提 ,解决了工艺参数间的相关问题 ,同时去掉了一些信息量不大 ,并带来噪声的主成分。用模糊C均值聚类算法将训练集分成具有不同聚类中心的子集 ,每一子集用径向基函数 (RBF)网络进行训练来获得子模型 ,然后用模糊聚类产生的隶属度将各子模型的输出加权求和得到BBR中顺丁烯的含量 ,由顺丁烯的含量来估计丁二烯含量。结果表明 ,这种软测量算法具有较好的建模效果 ,由于采取了数据分组训练 ,大大节省了建模的训练时间 ,比单纯的基于神经网络的方法要快得多。这种方法有很好的泛化结果和预报精度 ,对工艺操作具有指导意义     

HGHG自由电子激光时间相干性研究

时间相干性是外种子型自由电子激光(FEL)对于自发辐射自放大(SASE)FEE具有的重要优势之一。利用自制的迈克尔逊干涉仪测量了600 nm(二次谐波)和400 nm(三次偕波)高增益谐波放大(HGHG)FEL的时间相干性,分析不同延迟时间处的干涉图样条纹可见度,得到了600 nm和400 nm HGHG自由电子激光的相干长度,分别为119±6.7 fs和112±16.9 fs。通过与光谱测量和理论计算结果进行比较,进一步验证了实验测量的准确性。结果表明HGHG自由电子激光继承了种子激光的相干性特点,这与理论预测结果相一致。     

中子超镜的优化设计

中子超镜的主要光学性能指标是反射临界角,反射临界角通常由镍块体材料的全反射临界角的倍数m来表征。本文采用增加帽层、优化关键参数和引入新设计参数的方法,弥补了中子超镜算法在m≤1区域内的局限性,实现了包含较少膜对数K的大m值中子超镜结构设计。利用Nevot-Croce模型模拟了多层膜的非理想界面,讨论了多层膜表界面粗糙度对超镜反射特性的影响。结果表明,对m=3的Ni/Ti中子超镜仅需200个膜对,在制作工艺上,要求制备m=3的Ni/Ti超镜的膜层界面粗糙度应小于1.5 nm,以保证其反射率不低于80%。