扩散热处理对316L不锈钢表面钯／铁薄膜形貌和相组成的影响

采用真空电弧离子镀工艺，在316L不锈钢表面沉积钯，铁（Pd／Fe）合金薄膜并进行真空扩散热处理，观察扩散热处理工艺对Pd／Fe薄膜的形貌和相组成的影响。结果表明：采用真空电弧离子镀工艺，可在316L不锈钢表面沉积均匀的Pd／Fe膜；扩散热处理工艺对Pd／Fe膜的形貌和相组成有显著影响。经900℃保温1h处理后，Pd膜与Fe膜间互扩散形成一定量的Pd-Fe合金相；随着热处理温度升高，Pd,Fe膜层向316L基体扩散的距离增大，同时基体中的Cr，Ni向外扩散的量也增多。     

等离子钛表面冶金技术

采用双层辉光放电产生的低温等离子体在纯钛表面制备了表面合金,开发出了在钛表面制备Ti-C合金和Ti-Zr合金等的工艺方法。     

钛合金表面辉光无氢渗碳的研究

采用双层辉光无氢离子渗碳技术在本底真空为 5×10-3Pa 的情况下,用 99.999%的高纯氩气对 Ti-6Al-4V 钛合金进行无氢渗碳。检测结构为:渗碳层厚度大于 200μm;表面层有一层以 TiC 为主的沉积层;在渗层中有 TiC 相生成;渗层的近表面硬度为 7 000 MPa;与刚玉球的摩擦力矩大幅度降低。通过研究得出:钛材经过双辉离子无氢渗碳后,不仅提高了表面的硬度,同时降低了摩擦系数,因而使耐磨性能得到了提高。     

铝在高温水蒸气中表面氧化膜的性能

采用X射线衍射法(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了纯铝在高温水蒸气中表面氧化膜的相组成及形貌特征.结果表明,本次实验条件下,在高温水蒸气中铝表面生成的是由一水软铝石AlO(OH)相组成的氧化膜,延长氧化时间氧化膜的相组成不发生改变,氧化膜表面的微观形态由微米数量级大小的颗粒构成,在一定临界值内,随着氧化时间延长,氧化膜厚度增加.     

TiO2阴极组分对电解的影响

在熔盐电解制备钛的TiO2固体阴极中分别添加CaO、CaCO3粉末,研究经烧结后阴极的形貌及成分,考察添加不同组分对电解提取钛反应的影响.结果表明在TiO2阴极中添加CaO、CaCO3粉末均可以增加烧结后阴极片的孔隙、影响TiO2颗粒尺寸的大小,有利于加快阴极电解反应的速度,并研究电化学还原机理.     

钛表面电弧离子镀沉积钯膜层的研究

利用电子显微镜、X射线衍射仪、显微硬度试验机等分析手段，对采用焊接复合式靶材，在钛表面沉积出的钯膜层进行分析研究。结果表明：钯膜层具有电弧离子镀典型特征，膜层的厚度为1,2-2μm，膜层致密。提高膜层的沉积温度使膜层与基体之间生成Ti4Pd相。膜层的表面硬度约为2GPa，在膜层与基体之间由于生成了Ti4Pd相，硬度增加到2．8GPa。     

Al2O3陶瓷片上沉积钛膜的研究

采用电弧离子镀方法在Al2O3陶瓷片上沉积Ti金属膜，并对成膜厚度的影响因素进行分析，沉积Ti金属膜合适的工艺参数为：电流70A，时间20min～30min，工件转速2r／min～4r/min。     

NiCrAlY(YSZ)多层复合涂层高温抗氧化行为研究

采用EB-PVD技术在镍基合金Rene N5基体表面沉积YSZ/NiCrAlY/( NiCrAlY+YSZ) /NiCrAlY/( NiCrAlY+YSZ)多层复合涂层,并对试样进行1000℃不同时间的循环氧化处理,通过SEM、EDS、XRD等方法,分析了复合涂层微观组织结构的演变规律及界面反应机制。结果表明：在1000℃条件下,YSZ先驱层会形成双层“三明治”结构的活性扩散障,阻挡基体与涂层之间的元素互扩散;同时,最外层的NiCrAlY+YSZ复合层逐渐转变为以NiO为主混合氧化物层。     

钛合金表面抗氧化玻璃-陶瓷涂层研究进展

抗氧化性差是影响钛合金在航空航天领域广泛应用的重要因素,提高抗氧化性成为钛合金研究的一个主要方向。玻璃-陶瓷涂层具有较宽的软化温度范围、良好的化学稳定性、高的机械强度,可作为钛合金高温抗氧化涂层。总结了钛合金表面抗氧化涂层材料的性能要求及玻璃-陶瓷抗氧化涂层材料的优缺点,综述了国内外钛合金表面抗氧化玻璃-陶瓷涂层的研究进展;展望了钛合金表面抗氧化玻璃-陶瓷涂层的发展方向。     

Solid State Reaction of Ir with SiC and Ir with Y2O3

研究了难熔金属铱与SiC及铱与Y2O3的固相反应,采用金属间化合物的标准生成吉布斯自由能等于标准形成焓的方法计算固相反应热力学,采用电子分布与晶体结构之间相关的Engel理论分析了铱与Y2O3的固相反应机制。结果表明,铱与SiC在1000℃开始反应生成Ir3Si和石墨,随着反应温度升高,Ir3Si与SiC进一步反应生成更高熔点的IrSi,当反应温度为1400℃时,固相反应产物为IrSi和石墨。在1800℃的还原性碳气氛下,铱与Y2O3能够发生固相反应生成Ir2Y和CO,Ir外围电子层失去电子形成d5sp2排布,Y外围电子层得到电子形成d3sp排布,成键电子数目由17个增加至21个,导致Ir-Y键能大于Y-O键能。