光伏并网配电系统谐波治理的分析与研究

为了补偿光伏并网配电系统中谐波电流,采用矢量静态坐标转换和最大功率点跟踪电压控制相结合的方法,引入有源电力滤波器进行谐波电流检测和补偿,并在光伏发电的试验平台上进行试验.试验结果表明,光伏发电系统的配电网中引入有源电力滤波器能够适时、准确地补偿电流,稳定电压,保证电能质量.     

选矿系统废水封闭循环与综合利用

介绍贵州川恒化工有限责任公司选矿系统废水封闭循环工艺。通过将选矿废水浓密、过滤分离后在选矿系统内循环利用,降低了工业清水使用量,防止了废水对环境的潜在污染,充分利用了水资源,为企业节约和挽回经济损失最高达862.5万元/a。     

Pyrex玻璃金属化凹坑的湿法腐蚀

为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H3O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验.实验发现在Cr/Pt/光刻胶掩膜下,Pyrex玻璃的腐蚀凹坑横向钻蚀小(钻深比1.34:1),侧壁倾斜光滑,并在凹坑(深约28μm)内成功地电镀了焊盘.该实验结果对要求高深宽比沟槽的微流体器件的制造也有一定参考意义.     

基于电镀铜平面弹簧的微型电磁式振动能量采集器

采用微机电系统加工技术制作出一种结构新颖的微型电磁式振动能量采集器,它可以把周围环境中的振动能转换为电能.整个结构主要由圆形SmCo28永磁体、铜平面弹簧和双层线圈构成.采用Uv-LIGA技术和电镀技术制作铜平面弹簧和双层线圈,并与永磁体一起组装成试验样机,其体积大约为200mm3.Ansys有限元仿真结果表明共振结构的一阶固有频率为129.3Hz.对组装好的电磁式振动能量采集器试验样机的初步测试表明:在加速度为3g(g=9.8m/s2)的外界输入冲击下,负载两端的交流电压峰峰值为32.5mV.     

不同结构多层膜中巨磁阻抗效应的研究

研究了封闭式和开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜以及Cu/FeSiB/Cu多层膜中的巨磁阻抗效应。实验结果表明：多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大。改变外加磁场,封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中阻抗变化最大,开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜次之,而Cu/FeSiB/Cu多层膜中阻抗几乎不变。三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释：在封闭式多层膜内,磁路形成密封结构,使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少;在Cu/FeSiB/Cu多层膜中,上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零,外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化。对于封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz到1MHz时就能够出现较大的阻抗变化比值,最大阻抗变化比值出现在3MHz。开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜阻抗特性与封闭式类似,但比例只是封闭式多层膜的1／3。     

FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场强度Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为3.2MHz时,在磁场强度Ha=2400A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值13.50%;在磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率为-9.20%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率为3.2MHz,磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率可达-12.50%.     

退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响

详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。     

微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

详细观察了长条形ＮｉＦｅ薄膜元件（宽１２０μｍ,厚４０ｎｍ）沿难轴方向（长方向）磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ噪声的主要物理根源。     

低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜,研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析,实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的,在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结