Influences of Yttrium on Microstructure and Mechanical Properties of NiAl-28Cr-5.5Mo-0.5Hf Alloy

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纵向强静磁场对定向凝固DZ417G合金枝晶形态和数目的影响

纵向强静磁场可明显影响高温合金DZ417G的定向凝固组织.为控制定向组织树枝晶数目提供了一种新手段.在抽拉速率为5μm/s时,强磁场影响了该合金组织的定向凝固生长特性,影响程度随磁场强度的加大而增加.当抽拉速率达到40μm/s及其以上时,施加强磁场使得单位面积上的枝晶数目增加,枝晶数目随磁场强度的增大而增大,增大幅度最大达到一倍左右.当温度梯度增大时,强磁场在低抽拉速率(5μm/s)下影响该合金定向凝固的效应加剧,在抽拉速率40μm/s及其以上时增加枝晶数目的效应也加大.从磁抑制对流和热电磁效应方面分析了上述现象,提出了作用机理.     

电磁振荡对纯铝晶界特征分布及电化学腐蚀性能的影响

向凝固中的纯铝施加强静磁场与交变电流相互作用产生的电磁振荡,获得细化晶粒组织.用EBSD技术观察磁场对其晶界特征分布的影响,发现施加磁场凝固试样的内部出现一定比例的低∑CSL晶界.通过对试样电化学行为的考察得到电磁振荡下凝固的纯铝试样电化学腐蚀电流减小,反映这种特殊晶界的存在会延缓电化学腐蚀过程,亦即提高其抗腐蚀性能.     

Cu-Cr-Zr合金在施加直流电流时效后的电性能和力学性能(英文)

在不同温度和电流密度下对Cu-Cr-Zr合金进行不同时间的时效处理,发现在合适的时效温度下施加电流,可以同时提高合金时效后的电导率和硬度。随着电流密度的增加,电导率呈线性增长,但硬度保持不变。显微组织观察表明,施加电流时效后,组织中出现了大量的位错和纳米级铬析出物,这是提高电导率和硬度的原因。电流作用机理与焦耳热、大量电子的迁移及因电子风力而提高的溶质原子、空位和位错的扩散能力有关。     

应用强磁场控制Zn薄膜取向研究

在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。     

强磁场下电磁振荡频率对Al-18wt%Si合金初生硅分布和形貌的影响

为确定电磁振荡频率对初生硅的影响,本文选用Al-18wt%Si合金,研究了强磁场与工频、中频两个频率的交变电流复合作用产生电磁振荡对初生硅分布和形貌的影响规律.结果表明:振荡频率对Al-18wt%Si合金初生硅的分布影响不大,而对其形貌产生较大的影响,随着频率的增大,初生硅由板条状转变成颗粒状.     

强磁场下热处理对定向凝固高温合金DZ417G析出相γ′的影响

在不同强度的强磁场下对定向凝固高温合金DZ417G试样进行固溶处理和时效处理,利用扫描电镜(SEM)和显微硬度计观察析出相γ′的微观结构并测定其显微硬度,探讨强磁场对析出相γ′的大小、形态、分布和硬度的影响,并从热力学原理探讨解释析出相γ′的变化.结果显示:12 T强磁场下固溶处理后,析出相γ′尺寸减小,枝晶干和枝晶间区域析出相γ′体积百分数分别增加达5.3％和5.6％,显微硬度分别增加9.4％和15.8％.12 T强磁场下时效处理后,析出相γ′尺寸减小,枝晶干和枝晶间区域析出相γ′体积百分数分别增加达3.9％和4.2％,显微硬度分别增加达6.2％和11％.     

Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究

先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜。并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析。XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn。吸收谱结果发现未完全氧化的ZnO薄膜具有强烈的紫外吸收。PL谱结果显示该法制备的ZnO薄膜具有很高的PL强度,而且(101)前驱金属膜制备的ZnO比(002)前驱金属膜制备的试样具有更高的PL强度。未完全氧化的Zn所形成的缺陷是PL强度较高的原因,SEM结果显示的ZnO薄膜表面粗糙度较大引起强烈的紫外吸收也是激发光强度高的原因之一。     

提高MgB2超导体临界电流密度的研究进展

临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.     

10T超导强磁场下中和法制备棒状α-Fe2O3的研究

利用XRD和SEM对无磁场和10T超导强磁场下通过中和法对Fe^3＋在80℃陈化6．oh制备的试样进行了分析，结果表明：无磁场下制备的纳米球形α-FeOOH颗粒粒度分布不均匀；10T超导强磁场下制备出了50hm左右的纳米球形α-FeOOH，其粒度分布均匀，并且纳米球形α-FeOOH呈现了线性聚合排列。此外，10T超导强磁场对纳米α-FeOOH的结晶度几乎没有影响．然后在无磁场中对无磁场和10T超导强磁场下制备的纳米旺α-FeOOH经800℃热处理2．0h后，利用XRD和SEM对热处理试样进行了分析，结果表明：前者制备出了粒度分布不均匀的纳米球形α-Fe2O3颗粒，后者制备出了棒状α-Fe2O3.