Al-Mg合金预变形以及热处理对表面斜纹的影响

针对Al-Mg合金板材在变形过程中出现的表面斜纹,对比了Al-Mg合金与其他硬合金的应力-应变曲线特征差异,分析了表面纹路的形成机理以及形貌与应力-应变曲线的对应关系。根据不同应力-应变曲线形貌,开展了0%～5%不同预变形工艺、490～550℃范围加热、炉冷、水冷以及保温时间等退火工艺对材料性能和组织的影响研究。结果表明:退火后增加到2%以上的预变形可以有效解决屈服平台,但对锯齿状形貌没有改善。采用在510～540℃加热+水冷方式退火可以有效解决屈服平台和锯齿状形貌,并最终通过工业化验证,有效解决了表面斜纹问题。     

水射流表面改性对国产Zirlo锆合金包壳管加速腐蚀氧化膜形貌的影响

为进一步提高国产锆合金包壳管性能,提高反应堆安全性,对国产Zirlo锆合金进行水射流冲击强化,研究在高温高压水腐蚀条件下不同冲击压力对样品表面氧化膜的影响,并与未冲击样品进行对比。结果表明,样品表面在不同压力的冲击下耐蚀性差异较大,当冲击压力达到40 MPa时样品表面氧化膜状态较好,相比于未冲击样品氧化膜厚度减少4.3%,在10 MPa和20 MPa冲击下则出现腐蚀加速情况。     

微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定718合金中铝钴钛钒磷钨六种元素

用微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法对718合金中六种元素的测定进行了研究和探讨。对样品的溶解方式、测定元素的分析谱线、仪器分析参数、准确度和精密度进行了研究,确定了最佳试验条件。方法具有良好的精密度和准确度,操作简单、快捷。     

Cu-Ni合金腐蚀行为的宏观电化学研究进展

综述了Cu-Ni合金腐蚀行为的宏观电化学的国内外研究进展.介绍了合金成分、外界环境、腐蚀产物膜及初始表面膜等因素对Cu-Ni合金耐蚀性能的影响，详细介绍了合金元素通过影响腐蚀产物膜的组织结构从而影响腐蚀过程的各种理论，针对目前Cu-Ni合金腐蚀行为的研究不足作出了适当的分析并指出了今后的研究方向.      

激光冲击喷丸对2195铝锂合金组织结构及抗应力腐蚀性能的影响

研究了激光冲击喷丸(LSP)对2195铝锂合金组织结构及抗应力腐蚀性能的影响。研究结果表明激光冲击处理后,2195铝锂合金表层晶粒细化到纳米量级,多次冲击能使表层晶粒进一步细化。残余应力测试结果表明激光冲击喷丸能够引入残余压应力,多次冲击后残余压应力数值更大。此外,应力腐蚀实验结果表明激光冲击喷丸能够有效提升2195铝锂合金的抗应力腐蚀性能。在应力腐蚀环境中,激光冲击喷丸诱生的表层残余压应力和晶粒细化层能够阻碍裂纹的萌生和扩展,防止应力腐蚀断裂。     

深冷及时效处理对Mg-7.5Li-3.5Zn-2Y合金组织及力学性能的影响

采用往复挤压和正挤压制备了Mg-7.5Li-3.5Zn-2Y合金30 mm×1 mm厚的带材,对比研究了合金带材经过时效、深冷和时效+深冷处理的组织与性能。结果表明,时效和深冷处理有利于促进第二相沉淀析出,时效+深冷处理工艺可以显著提高镁锂合金的综合力学性能,但要控制合金的时效处理温度和时间以及深冷处理的时间。合金带材经过200℃×2 h时效和-196℃×60 h深冷处理后材料的综合性能最佳,抗拉强度为213 MPa,伸长率为20%,可以满足板材室温大塑性变形对材料综合力学性能的要求。     

γ-环糊精固载淀粉的制备及其对废水中染料去除性能研究

以环氧氯丙烷为交联剂,将功能主体分子γ-环糊精引入淀粉中,合成了γ-环糊精固载淀粉CS-γCD。通过单因素实验优化了反应条件。采用红外/拉曼光谱(IR/RAM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)表征了产物结构。考察了CS-γCD对亚甲基蓝、甲基紫及刚果红3种不同结构染料的吸附性,对模拟混合染料废水的脱色性能,及其材料自身的降解性能。结果表明,CS-γCD对各染料的吸附量不仅较其他吸附材料显著提高,并对不同结构种类的染料具有了更为广泛的吸附能力,其对混合染料废水的脱色率接近90%。CS-γCD可被酶降解,但降解速率较天然淀粉缓慢,稳定性有所提高,使用寿命相对延长,更利于其在污水处理方面的推广应用。     

耐蚀合金中TiN析出机制

摘要：TiN颗粒尺寸及其分布对耐蚀合金性能有明显的影响，因此有必要对TiN在铸坯中的分布及其析出行为进行研究。采用扫描电镜(SEM)、金相显微镜（OM）观察了TiN夹杂物在铸坯中的分布、尺寸及其形貌；基于热力学和动力学理论分析了耐蚀合金铸坯中TiN夹杂物的析出时机及其尺寸，结合试验结果和理论计算明确了TiN夹杂物在凝固后铸坯中的位置和尺寸与析出时机的关系，为控制TiN夹杂物提供理论指导。结果表明，冶炼过程中析出的TiN夹杂物尺寸较大，在凝固过程中被枝晶吞没，位于铸坯枝晶内和等轴晶内；微观偏析计算结果表明，在凝固分数为0.55时，TiN开始析出，最开始析出TiN夹杂物的逐渐长大，长大后的TiN易于被二次枝晶吞没，最终位于铸坯中的枝晶间和等轴晶内，后期析出的TiN则在枝晶间和等轴晶间。固相中析出的TiN夹杂物长大较慢，尺寸细小，最终位于奥氏体晶界。