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表面活性剂十二烷基磺酸钠对镁合金阳极氧化的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在含柠檬酸钠的碱性硅硼体系中对AZ91D镁合金进行电化学阳极氧化成膜处理,通过记录阳极氧化电压随时间的变化以及扫描电镜、能谱仪和电化学测试等方法考察了阴离子型表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)对镁合金阳极氧化过程和氧化膜性能的影响。结果表明,在阳极氧化过程中,十二烷基磺酸根离子被吸附到镁合金电极表面,增加了表面膜层电阻,提高了阳极氧化电压,使得阳极氧化膜层更致密、厚度分布更均匀,减少了表面微气孔。当SDS含量为0.2~0.4 g/L时,所得阳极氧化膜具有最大的电荷传递电阻和膜电阻,对镁合金具有最好的腐蚀防护性能。 相似文献
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将AZ31镁合金在NaOH、Na2SiO3和Na2B4O7的电解液中进行阳极氧化,考察了乙二胺四乙酸添加剂对阳极氧化膜性能的影响。用扫描电镜观察阳极氧化膜形貌,用X-射线衍射和自带能谱仪对膜层的相组织和元素含量进行分析,用交流阻抗测试氧化膜的耐蚀性能。结果表明,氧化膜主要由Mg O组成,膜层中出现了乙二胺四乙酸的特征元素C和N,Mg Si O3的衍射峰受到抑制。阳极氧化过程中的起弧电压随乙二胺四乙酸含量的增加呈上升的变化趋势。随着乙二胺四乙酸含量的增加,膜层耐蚀性先提高后降低。乙二胺四乙酸质量浓度为7.5 g/L时氧化膜具有最大的阻抗,最优的耐蚀性能。 相似文献
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目的研究十六烷基二甲基乙基溴化铵(CDAB)与NH4SCN在硫酸介质中对Q235钢的缓蚀协同效应,并探讨其缓蚀机理和性能,以期为工业实际生产提供理论数据。方法运用失重法研究CDAB质量浓度与缓蚀率的关系,通过失重法、动电位极化曲线法和交流阻抗法分析CDAB与NH4SCN复配后的缓蚀率和缓蚀机理。结果仅添加CDAB时,缓蚀率随着CDAB质量浓度增大而增大,但缓蚀性能并不显著,当质量浓度为10 mg/L时缓蚀率仅为85.07%;当CDAB与30 mg/L的NH4SCN复配后,缓蚀率显著提高到96.73%,能有效抑制Q235钢在0.5 mol/L硫酸介质中的腐蚀。极化试验结果显示,该复配缓蚀剂是一种以控制阳极反应为主的混合型缓蚀剂,缓蚀率随CDAB质量浓度增大而增大,与交流阻抗法、失重法试验结果相一致。复配缓蚀剂在Q235钢表面的吸附服从Langmiur吸附等温模型,吸附吉布斯自由能ΔG0=-48.33 k J/mol,为自发吸附。结论 CDAB与NH4SCN在0.5 mol/L硫酸介质中具有优异缓蚀协同效应,能有效抑制腐蚀介质对Q235钢在的腐蚀,复配缓蚀剂具有较高的缓蚀率。 相似文献
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负偏压对多弧离子镀 TiN 涂层大颗粒形貌及像素分布的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
目的分析不同负偏压下Ti N涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据。方法采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积Ti N涂层。用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用Image J软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计。结果随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少。负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750。此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小。未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6.9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3.3%,且此时涂层的力学性能最好。负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067。结论当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小。 相似文献
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以聚乙烯醇(PVA)为基体制备PVA/AgNO3复合膜,在NaBH4溶液中用化学还原法制得导电薄膜。研究了复合膜的组成、还原剂浓度、还原时间、还原温度对导电薄膜电阻的影响,得到的工艺条件为:温度20~25℃,AgNO3/PVA的质量比为0.15~0.25,还原剂浓度为0.06%,还原时间为3~4min。 相似文献
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4-甲基咪唑在不锈钢腐蚀液中缓蚀作用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了奥氏不锈钢在Cl-浓度为1.5mol.L-1的缓蚀液中的电化学行为,分析不锈钢在不同温度和不同浓度中缓蚀液的腐蚀电位、腐蚀电流的变化规律,探索缓蚀液对不锈钢腐蚀速率的影响。结果表明:4-甲基咪唑缓蚀液对不锈钢的缓蚀效率在研究范围内随着温度和缓蚀液浓度的增加而增大,4-甲基咪唑是一种较好的高温吸附型缓蚀剂。 相似文献