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21.
铜-配体(L)-三肽组成的三元复合物[Cu(L)M]2+,其中,L表示4′-氯-2,2′:6′,2″-三联吡啶(缩写为4Cl-tpy);M表示酪氨酰-甘氨酰-色氨酸(YGW)及其修饰型三肽(CH3CO-YGW-OCH3,缩写 Ac-YGW-OMe)。使用该复合物,通过碰撞诱导解离 (collision-induced dissociation, CID)产生两种自由基离子 ([YGW]·+和[Ac-YGW-OMe]·+)。采用串联质谱结合密度泛函理论 (density functional theory, DFT)得到气相稳定结构,并研究其气相解离行为。研究结果表明,[YGW]·+和[Ac-YGW-OMe]·+的气相解离行为截然不同,[YGW]·+主要产生[M-CO2-116]+和[M-CO2]·+碎片离子;而[Ac-YGW-OMe]·+在气相中主要产生[M-CH3OH]·+碎片离子。推测这两种离子的气相裂解机理分别为:[YGW]·+羧基上的质子重排到多肽骨架中羰基氧上,经历 Cα-C键的断裂产生[M-CO2]·+、断裂色氨酸侧链 Cβ-Cγ键产生[M-CO2-116]+离子;[Ac-YGW-OMe]·+则先经历质子重排到酯基氧上,然后经过C-O酯键的断裂形成[M-CH3OH]·+离子。参与重排的质子可能有3个来源:Ac-YGW-OMe中甘氨酸的Cα-H、色氨酸的Cα-H 或Cβ-H,该机理有待进一步验证。本研究将为其他类型多肽及衍生物的结构及气相反应机理研究提供参考。 相似文献
22.
23.
为了解决中频炉烧结钍钨坯条密度偏低的问题,对中频炉进行了炉底、炉体、顶盖技术改造,改造后提高了工装的隔热效果,使中频炉耐热温度由2 300 ℃提高到2 800 ℃,然后进行钍钨坯条的烧结,研究了中频烧结钍钨坯条的工艺参数,结果表明:2 300 ℃烧结密度只有16.94 g?cm-3,提高烧结温度到2 800 ℃此时接近氧化钍的熔点(3 220 ℃),烧结后密度提升较大达到18.70 g?cm-3,达到后续加工要求,2 800 ℃烧结延长高温烧结时间和增加保温平台的方式对钍钨坯条的烧结密度影响不大。 相似文献
24.
湿式制动器对重型车辆安全具有关键影响,以湿式制动器摩擦副间隙的冷却液压油(Automotive transmission fluid,ATF)为研究对象,考虑车辆初始制动阶段流体的黏性摩擦和层流流动特征,利用积分方法建立了摩擦副流体的非稳态能量方程,并获得了能同时满足轴向和径向边界条件的三维温度和热流密度显式解析表达式,通过简化动量方程和多项式分布假设也获得了径向速度和压力的理论解,与以往试验对比表明,压力和温度解析解与试验结果具有较好的一致性,理论模型有望推广用于液黏离合器等其他HVD装置的ATF速度场、温度场和热流密度场的理论预测。 相似文献
25.
26.
以福建某离子型稀土矿为研究对象,通过现场取原状矿样分析了矿体干密度的空间变异性。运用GEO软件建立模型,分析了矿体干密度对临界注液强度的影响。结果表明:矿体干密度在不同深度均具有中等以上的空间相关性,当取样深度由2m增加到11m时[1],等效干密度先快速增大后趋于稳定;矿体干密度由1.35g/cm~3增加到1.59g/cm~3时,临界注液强度由2m~3/m~2d下降到0.38m~3/m~2d;考虑矿体干密度空间变异性的临界注液强度为0.2m~3/m~2d,与实际临界注液强度的差值为0.05m~3/m~2d,不考虑矿体干密度空间变异性的临界注液强度为0.38m~3/m~2d,与实际临界注液强度的差值为0.13m~3/m~2d,说明在进行临界注液强度计算时必须考虑矿体干密度的空间变异性。 相似文献
27.
为了获得干料最大振实密度,在分析干料中各成分的颗粒筛分纯度的基础上,开展不同干料配方下的振实密度试验。通过优化粗焦、中焦和细焦的配料比例,使干料振实密度由原来的1.1845 g/cm~3提高到1.2336 g/cm~3,再通过优化球磨料的比例,确定最佳配入量在25%~35%之间,两次优化后振实密度比现有配方提高了0.065 g/cm~3左右。生阳极干料配方优化结果表明,生坯体积密度平均值由原来的1.5516 g/cm~3提高到1.6113 g/cm~3,优化效果明显。 相似文献
28.
采用辉光放电发射光谱(GDOES)测试分析方法研究了磁控溅射功率、工作气压、基片温度等工艺参数对钛膜厚度、密度、扩散层的影响。结果表明,在0.2 Pa工作气压条件下,在100~300 W范围内溅射功率与沉积速率呈近似线性关系;在溅射功率200 W条件下,工作气压在0.2~0.7 Pa范围内的沉积速率较为稳定,约为16 nm/min,而增大工作气压将显著降低钛膜密度,工作气压0.2 Pa对应的钛膜密度达到4.47 g/cm~3,而0.7 Pa对应的钛膜密度仅为3.26 g/cm~3;基片温度显著影响了钛膜与钼基片之间的扩散层厚度,在溅射功率200 W、工作气压0.2 Pa条件下镀膜300 min,基片温度100℃下的扩散层厚度为487 nm,250℃下则达到814 nm。 相似文献