改造制氧冷水流程,降低氮气生产成本

由于用户氧氮产品需求比例的变化,使部分制氧机在许多情况下只生产氮气,氧气白白放空。针对这种情况,我们对制氧机的流程进行了改造,将本来用于氮水预冷的氮气置换出来,做为氮压机的原料气,达到制氧机经济运行的目的。     

ZrO2热障涂层残余应力分析

用扫描电子显微镜(SEM)观察了等离子喷涂ZrO2涂层的显微结构,并用X射线衍射法(XRD)测试了ZrO2涂层相的组成和残余应力.同时测试了激光冲击处理和激光热处理后的ZrO2涂层残余应力分布,分析了热障涂层残余应力形成机理.结果表明,等离子喷涂ZrO2涂层表面残余应力均为拉应力,其均值为179.2MPa,经激光表面处理后的ZrO2涂层残余应力均表现为压应力;热应力对涂层残余应力贡献最大,当热应力超过涂层结合强度时,涂层脱落,通过控制涂层残余应力可以提高涂层界面结合强度.     

激光冲击对金属板料裂纹的影响模型

研究了含有裂纹的金属板料在激光冲击波载荷作用下裂纹尖端应力强度因子和裂纹扩展速度的变化,利用断裂力学理论,对激光冲击加载下裂尖参数计算模型进行优化,采用应力强度因子叠加法,将外加载荷引起的应力强度因子和激光冲击后残留的残余压应力引起的应力强度因子叠加,推导出下裂纹尖端应力场强度因子表达式,由此可精确计算出金属板料的裂纹萌生寿命和裂纹扩展速度,实验验证了航空钛合金Ti6Al4V激光冲击后残余应力对裂纹扩展速度的影响,从而建立了激光冲击作用对板料裂纹扩展的影响的理论模型。     

激光冲击工艺对GH742镍基高温合金疲劳性能的影响

对两组镍基高温合金(GH742)试样进行激光冲击强化后,分别进行拉-拉疲劳试验和振动疲劳试验,并和未进行强化处理的试样进行对比,分析了强化试件的疲劳断口特征.结果表明激光冲击强化能提高镍基高温合金拉-拉疲劳寿命3.6倍以上,提高振动疲劳寿命2.4倍;强化后残余压应力影响层深度达1.0mm.     

移动瓦斯抽放泵在回采工作面的利用

针对唐山矿业分公司T2291工作面回采过程中的不同阶段,利用移动泵并采取不同的抽放形式进行瓦斯抽放,收到了良好的效果。     

T1392综放工作面瓦斯异常涌出的综合治理

唐山矿业公司T1392综放工作面瓦斯涌出异常,严重威胁着矿井的安全生产。通过对瓦斯异常涌出情况进行分析,找出了造成瓦斯异常涌出的主要因素:大气压力变化、采区阻力分布状况、相关系统等,采取了加强工作面放煤、泄瓦斯道埋管抽放、相关系统调压泄放等有针对性的治理措施,杜绝了工作面瓦斯超限的事故。     

金属材料断裂的表面分析技术

本文主要介绍晶粒间界现象的表面分析技术,断裂面的制取,断裂表面信息的特殊问题,晶粒间界偏析的规律及其对材料脆性的影响。     

耐磨钢中Ti的析出行为及其对冲击磨损性能的影响

研究了不同Ti含量(0.03 mass%和0.15 mass%)的耐磨钢中Ti的析出行为及其对冲击磨损性能的影响。结果表明：低Ti含量钢中的大尺寸析出相占比明显低于高Ti含量钢；亚微米级/微米级(Ti, Mo)N析出相在温度较高的液相或者液/固两相区析出，多呈尖锐棱角的不规则多边形或矩形；纳米级(Ti, Mo)(C,N)析出相在温度较低的固相区析出，多为细小的近球状。低Ti含量钢的冲击磨损性能优于高Ti含量钢，亚微米级/微米级(Ti, Mo)N析出相使材料断裂的临界应变能降低，基体和析出相分离所需的应力下降，容易产生微裂纹，导致在冲击磨损过程产生大量犁削；纳米级(Ti, Mo)(C,N)析出相使基体的应变能低于裂纹扩展所需要的界面能，能够阻止在冲击磨损过程中产生的切削，使得耐磨性增加。     

虚拟现实技术在特种加工教学中的应用研究

根据特种加工实践教学的要求，以激光切割加工为例介绍了利用VRML进行加工模拟的步骤和方法。详细阐述了用VRML表现加工过程各种变化时用到的实时交互控制、信息处理和动态显示等技术，并给出了相应的程序代码，实现了激光切割的虚拟加工试验。采用基于网络的三维动态虚拟加工模拟，为特种加工的实践教学提供了理想的工具。     

中性银粒子和银离子在Si(111)上沉积过程的AES研究

无论是蒸发沉积、离子溅射沉积、离子束沉积还是其它类型的沉积,所沉积的薄膜的微观结构、薄膜与衬底间的界面性质与沉积粒子的性质、能量等因素密切相关。本工作利用俄歇电子能谱仪(AES)所测得的俄歇信号时间曲线(AST),俄歇的价带电子跃迁(AVV)图以及俄歇信号相对强度与沉积厚度的相互关系曲线研究和分析银蒸发束(原子、分子、原子团束)、低能(22eV)和较高能(320eV)Ag~+束在室温Si(111)衬底表面上的沉积过程和可能发生的界面反应。实验结果表明:(1) 蒸发沉积时,银在衬底表面上首先是形成均匀的原子层,接着聚集成为小岛,随后才形成为完整的薄膜;(2) 低能(22eV)Ag~+束沉积时,薄膜为均匀的层状结构,也就是说,薄膜的生长方式是以层层生长方式进行的,衬底与薄膜间的界面在所讨论的1nm范围内是未反应的;(3) 高能(320eV)Ag~+束沉积时,在沉积的初始阶段,界面上会发生严重的混杂效应,以致于形成一种银和硅的混合相结构,在此之后,界面混杂才慢慢停止,形成完整的Ag薄膜。