有机硅BS94对建筑石膏防水性能的影响

在建筑石膏中添加有机硅BS94以改善石膏制品的耐水性,通过不同水膏比、不同掺量BS94时建筑石膏的吸水率、强度和软化系数来表征。结果显示,BS94可提高石膏的软化系数达70%以上,吸水率最低可降到7.6%。     

单宁酸对酪蛋白酸钠的作用方式分析

单宁酸能使食物中的蛋白质变成不易消化的凝固物质,影响人体对蛋白质的吸收利用,为了阐明二者之间的作用方式,实验利用差热-热重分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱研究了单宁酸(Tannic acid,T)对酪蛋白酸钠(Sodium Caseinate,SC)结构的影响。红外光谱表明,酪蛋白酸钠和单宁酸相互作用后,其二级结构发生了改变,β-折叠和β-转角含量相应地减少,α-螺旋、无规则卷曲结构增多;荧光光谱说明,T的加入可以使SC的荧光发生静态猝灭,由荧光强度变化速率和单宁酸的浓度的双对数回归曲线得出了T和SC的结合常数KΛ=1.30×103 L/mol,结合位点数n=1.20;热重和差热分析表明,单宁酸-酪蛋白酸钠复合物(T-SC)的玻璃化温度升高了20℃,变性温度升高了86℃。分析实验结果:单宁酸的存在使酪蛋白酸钠分子链之间的作用力增大,链段移动受阻,形成更大的立体网状结构,稳定性增加。     

模版法制备沥青基炭材料及对苯酚吸附性研究

以纳米碳酸钙为模版剂,以精制煤沥青为包覆材料,通过对其炭化、去模板剂和活化处理,制得了沥青基炭材料。实验选用苯酚为吸附质,研究了制备过程对所制炭材料吸附性的影响、吸附过程遵循的吸附规律以及吸附热力学变化规律。结果表明,在相同活化条件下,未经模板剂碳酸钙处理的煤沥青得到的炭材料对苯酚的吸附量为1.9 mmol/g,而由碳酸钙与沥青质量比为1∶2所制备的炭材料,吸附量可达2.49 mmol/g。即使用模板剂后炭材料吸附量提高了31%;进一步对苯酚等温吸附规律的研究表明,其吸附过程符合Freundlich方程;吸附热力学分析表明,吸附热在35.9~50.8 kJ/mol,属于典型的物理吸附过程,其研究为煤沥青的利用提供了一条新的途径。     

煤在H2/Ar等离子体热解过程中脱氮脱硫的研究

对几种中国煤在H₂/Ar等离子体热解过程中的脱氮脱硫进行了实验研究，结果表明:煤中氮在H₂/Ar等离子体热解过程中主要以HCN形式存在，也有少量氮转化为NH₃，脱氮率最高达50%；HCN的产率随煤种和输煤速率的变化而变化，NH₃的产率随输煤速率的增大变化不大，与煤种没有一定的对应关系；HCN的产率大于煤常规加氢热解，而NH₃产率(<1.5%)则相反；煤中氧含量较高时，HCN和NH₃的产率较低；煤中硫转化生成的H₂S产率随输煤速率的变化而变化，脱硫率最高达60%左右，煤等离子体热解反应后得到的焦样n(N)/n(C)和n(S)/n(C)都小于原煤.      

SRC-RC竖向混合框架结构静力弹塑性分析

通过对9个8层和12层竖向混合框架模型的静力弹塑性分析,研究竖向转换层所处位置对结构受力性能的影响,给出转换层所在层数与结构总层数的合理比值。通过分析SRC-RC竖向混合框架结构的基底剪力与顶点侧移曲线、极限层间位移角及塑性铰分布,探讨SRC-RC竖向混合框架结构的抗震性能。     

采空区密闭墙中微胶囊粒径对其囊壁强度的影响

针对采空区密闭墙裂隙修复滞后的问题,提出了采用微胶囊在密闭墙裂隙演化过程的初始阶段(启裂时段)开启裂隙修复的方法。该方法是利用裂隙尖端应力作用,撕破微胶囊囊壁,使包裹在囊壁内的修复剂流出,充填裂隙,在发生固化反应后完成裂隙修复。在密闭墙裂隙修复过程中,微胶囊粒径影响其囊壁强度,直接关系修复效果。为了研究微胶囊粒径对其囊壁强度的影响规律,通过正交试验制备了8种不同粒径同种壁厚的微胶囊,采用SEM扫描电镜进行粒径及壁厚表征,利用纳米压痕技术测定囊壁强度,得出囊壁强度随粒径的增大逐渐减小的二次函数关系。     

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.     

780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.