聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率

采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。     

商业综合体的一般性设计方法

商业综合体是近几年快速发展的一种商业形态,本文从建筑设计的角度,试图找出商业综合体设计的一般性方法,主要从总平面规划、商业动线设计、建筑立面造型、业态建筑设计四个方面进行分析。     

HTPB推进剂热力耦合加速老化细观损伤机理分析

为了深入探究端羟基聚丁二烯（HTPB）推进剂在热力耦合作用下的细观损伤机理，采用了试验表征和理论分析相结合的方法。具体而言，对在不同环境温度（50，70 ℃和90 ℃）及不同加载次数下的HTPB推进剂进行了细观层面分析。在50 ℃下，分别进行了约3000次和10800次加载；在70 ℃下，分别进行了约1800，3600次和7030次加载；而在90 ℃下，则进行了约1800次加载。研究发现：在热力耦合加速老化作用下，HTPB推进剂的细观损伤比单一因素老化更为显著。其细观损伤机理主要涉及两方面：一是由于基体热降解，基体自身的承载性能及其与颗粒间的粘接强度均有所下降，进而导致颗粒“脱湿”；二是颗粒的“脱湿”现象反过来进一步加剧了基体的热降解。这种相互作用使得细观损伤更加严重。研究还发现，随着老化温度的增加，细观损伤的程度会加剧，但温度过高将改变老化过程的细观损伤机理。此外，研究指出，在其他条件不变的前提下，合理选择终止加载次数对于判断HTPB推进剂是否发生显著细观损伤至关重要。本研究中，当50 ℃和70 ℃下的加载次数比（）分别超过0.281和0.330时，HTPB推进剂会产生显著的细观损伤。     

半闭式压力机机身的有限元分析与优化

对半闭式压力机机身进行静、动态有限元计算,分析其结果,在此基础上对机身进行结构优化,进一步分析优化后的机身,并比较原机身与优化后机身的计算结果,完成对优化方案的验证。     

一种RF MEM电感及其LC低通滤波器的模拟和设计

模拟并设计了一种基于表面微机械加工的平面MEM电感,提出了它的等效电路模型并给出模型中参数的提取方法。由模拟结果验证了该等效电路具有较高的精度,误差在8%以内。设计的一个3.6nH的平面MEM电感的品质因数超过20,自谐振频率超过15GHz。由平面MEM电感构成的5阶LC低通滤波器的-3dB带宽为3.7GHz,0~3GHz内的插入损耗低于1dB。