磁控溅射法制备Bi2Te3热电薄膜的研究

Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数。薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV.K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速。Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52%时,功率因子最大,为1.765×10-4W.K-2.m-1。     

基于高光谱成像技术的祁门红茶等级无损检测

为实现快速无损的茶叶产品等级评估,应用近红外（900~1700 nm）高光谱成像技术对6个等级的祁门红茶进行分类。首先利用线性和非线性降维方法对高光谱数据进行可视化处理,可视化算法包括线性方法的主成分分析（Principal Component Analysis,PCA）、多维尺度变换（Multi-Dimensional Scaling,MDS）,和非线性方法的t分布随机邻域嵌入（t-Distributed Stochastic Neighbour Embedding,t-SNE）、Sammon非线性映射。其次利用支持向量机（Support Vector Machine,SVM）和极限学习机（Extreme Learning Machine,ELM）建立分类模型来鉴定祁门红茶的不同等级。最后利用SVM和ELM分类模型对高光谱图像每个像素点进行识别,得到预测图。结果表明,t-SNE可以将6个等级的祁门红茶分在六个不同的簇,SVM和ELM的预测集准确率分别为100%和96.35%。t-SNE可视化效果最佳,SVM的检测模型能够有效地对祁门红茶六个等级进行识别。本文为茶叶产品等级的快速、无损检测提供了一种有效的方法,对茶叶产品的质量控制、真伪检测和掺假检测具有重要意义。     

基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟

以双指数形式太阳电池理论模型为基础，用实验数据拟合太阳电池的I-V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I-V和P-V特性计算机模拟，并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。     

混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.     

蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。     

有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响

有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件.研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响.首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影响,然后在直径3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上模拟了不同体积分数有机胺碱对铜去除速率的影响.实验结果表明:有机胺碱对抛光液中磨料粒径和Zeta电位没有影响;随着有机胺碱体积分数的增加,铜的去除速率先快速增加,达到一峰值后趋于稳定,最后略有下降;当有机胺碱的体积分数为5％时,TSV图形片铜膜去除速率达到最高值2.1tμm/min,剩余铜膜总厚度差减小到1.321 76 nm,实现了纳米级的化学机械抛光.     

铜CMP碱性抛光液中氧化剂的电化学行为研究

化学机械抛光(CMP)工艺是IC工艺中大马士革工序的关键步骤。抛光液的电化学行为研究对抛光质量的控制具有重要意义。采用电化学测试手段,研究碱性抛光液中氧化剂(H₂O₂)对铜表面钝化膜的成膜影响,分析H₂O₂对抛光速率、表面粗糙度的影响机理。通过实验确定,在0.5% SiO₂磨料和3% 表面活性剂的碱性抛光液中,添加0.5%的H₂O₂和3%的FA/OⅡ型螯合剂可获得大于800 nm/min的高抛光速率和表面粗糙度为22.2 nm的较佳平坦效果。     

无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制北大核心

利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。     

碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响北大核心

主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明,随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0％增加到1％,表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势,表面活性剂对降低表面粗糙度和减少表面缺陷效果明显。但是当表面活性剂体积分数大于5％时,抛光后硅衬底的表面粗糙度和表面缺陷数量都略有升高。表面活性剂体积分数为5％时,表面粗糙度及表面缺陷数量最小。由抛光雾实验可以看出,随着表面活性剂体积分数的增加,硅衬底精抛后的抛光雾值先降低后升高,进一步验证了当表面活性剂体积分数为5％时,抛光后硅衬底的表面状态最好。     

非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷

用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜（TEM）、电子探针X射线微区分析（EPMA）和扫描电镜能谱分析（EDX）等手段，对φ76mm非掺杂（ND）半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明：在晶体周边区域，由高密度位错运动和反应形成胞状结构，该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界，且位错与微缺陷有强烈的相互作用：杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低，存在条纹分布。