二茂铁基超支化聚(胺)酯的抗迁移性研究

将二茂铁基超支化聚(胺)酯(HPAE-Fc)添加到端羟基聚丁二烯(HTPB)中老化,通过紫外分光光度计测定了HTPB基体中二茂铁基团含量,并计算了HPAE-Fc迁移率,与二茂铁、叔丁基二茂铁的迁移率进行了对比.研究结果表明:HPAE-Fc的迁移率远低于二茂铁、叔丁基二茂铁,迁移率随着相对分子质量的增大而减小,迁移率由高到低的顺序为二茂铁、叔丁基二茂铁、HPAE-Fc;各物质的迁移率随时间延长或温度提高而增加.实验结果表明:与二茂铁和叔丁基二茂铁相比,HPAE-Fc在HTPB中具有较强的抗迁移性能.HPAE-Fc在HTPB中抗迁移性的机理为高的相对分子质量、化学组成与结构、较强的分子间作用力、良好的相容性和与HTPB形成氢键等因素共同作用的结果.     

ICP-AES法测定食品用纸包装容器及材料中可迁移性重金属镉

用4%乙酸溶液,在60℃条件下浸泡食品用纸包装样品2h,用电感耦合等离子体发射光谱法准确测定浸泡中可迁移性重金属Cd的浓度,实验过程操作简便,精密度实验和回收率实验说明该方法检测结果准确可靠。     

不同环境因素对硅橡胶憎水性及憎水迁移性的影响

为了研究硅橡胶在不同环境下的憎水性变化规律,采用静态接触角法,模拟不同水珠大小、表面粗糙度、盐密灰密、污秽种类、温湿度和紫外辐照等不同环境因素,研究硅橡胶憎水性及憎水迁移性在各种环境中的变化规律。研究发现了水珠越大,表面越粗糙会影响静态接触角测量的准确度,结合变化规律给出了测试建议。环境模拟试验结果表明,灰密对硅橡胶憎水迁移性能的影响比盐密更明显,温度越高憎水迁移越快,湿度的增大对小分子迁移有抑制作用,迁移时间变长,紫外辐照中的热辐射效应是加速憎水迁移的主导因素,紫外线也起到一定的促进作用,不同的污秽种类对憎水迁移性的影响差异大,建议在人工污秽试验中对污秽的选取应结合需求进行优选。     

紫外光固化光纤标识油墨的颜料耐迁移性

简述颜料耐迁移性对光纤标识油墨的重要性.研究了颜料的自身性能如种类、含量和分散状态,涂膜的物理性能如固化度和玻璃化温度对颜料耐迁移性的影响.     

硅橡胶涂料憎水迁移特性的分析

RTV（室温硫化硅橡胶涂料）是一种新型的长效防污涂料，其防污的根本特性在于其优异的憎水性和憎水迁移性，即当RTV涂料表面有了灰之后，RTV本身的增水性可以迁移到左表面，从而使得灰表面屯有了憎水性，可以大大提高污闪电压。本文详尽的分析了可能影响RTV涂料憎水迁移特性的因素，并结合现代分析手段，提出了RTV涂料迁移机理的假说。     

纸可不是越白越好 质量过关才重要

正一般来说纸制品分为四类,第一类是食品用纸如纸杯和纸碗等;第二类是纸巾纸;其余两类为擦手纸和卫生纸。与食品直接接触的纸杯就有国家标准明确规定了其中荧光剂的含量。而对于纸巾中添加荧光增白剂以及对人体有害的柔软剂,目前并没有被列入餐巾纸、纸巾纸生产标准的质量检测之中,所以企业即使大量添加了这些化学添加剂,也不能说是"超标",由于其不和食     

室温硫化硅橡胶涂料的改性研究

室温硫化硅橡胶涂料是一种新型防污、憎水、长效涂料,目前已在我国许多地区投入使用。但从目前推广的室温硫化硅橡胶涂料性能来看,涂料与资件的粘附力不够强,影响了涂料的使用效果,而且耐电弧能力也较差。章研究了改进温室硫化硅橡胶涂料机械性能和耐电弧能力的方法,尤其是其防污闪的主要特性－憎水迁移特性没有明显减弱。中还研究了室温硫化硅橡胶涂料的憎水迁移特性。     

复合绝缘子外绝缘材质憎水迁移性能

较为详细地分析了出外绝缘中各种填充剂对硅橡胶本身特有几种憎水迁移性能的影响程度,同时指出产品长期运行过程中,外绝缘中微酸的填充剂和外绝缘表现面沉积污秽物中偏酸无机化合物的诱导作用,促使硅橡胶硅氧烷分子发生异裂反应生成不分子,这也是和复合绝缘子外绝缘憎水迁移性能不可忽视的组成部分。     

基于噪声融合的黑盒攻击优化方法

当前,基于迁移性的黑盒攻击通常使用较高的扰动系数生成具有较强可迁移性的对抗样本,导致对抗扰动较易被防御者察觉,因此提出了一种基于噪声融合的黑盒攻击优化方法来提高对抗样本的隐蔽性。该方法从常用的图像噪声中筛选出了最适用于优化对抗样本迁移性的噪声,并降低了对抗样本的黑盒攻击能力与扰动系数的耦合程度,即在不修改扰动系数的情况下增强了对抗样本的可迁移性。在Image Net数据集中的实验结果表明,通过噪声增强后的对抗攻击在黑盒攻击强度上有显著提升。此外,通过实验从高斯噪声、高斯白噪声、泊松噪声、椒盐噪声、乘性噪声和单形噪声中筛选出了最佳噪声,其能根据相同的扰动系数将待优化攻击算法的黑盒成功率平均提升12.64%。     

Li-Mn-O化合物的电性能与锂离子迁移性研究

采用天冬氨酸法合成Li-Mn-O化合物,对前驱体在400℃和750℃煅烧得到的样品进行X射线衍射分析(XRD),并对750℃煅烧样品进行电化学性能检测.结果表明:400℃制得的样品以纯尖晶石LiMn2O4存在,750℃下制得样品的首次充放电比容量分别为123.8 mAh/g和122.5 mAh/g,循环20次后放电比容量仍能达到121.0mAh/g,为初始放电比容量的98.77%.