不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.     

孔板流量计新标准改进了气量计算

用孔板流量计新标准计算气体的体积，比用以前的美国或国际标准计算体积更准确。对于未经处理的气体，这种效果可能是显著。预计该标准可以改进不确定度0．1％～0．5％。     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

提升机主控程序设计要点分析

以矾山磷矿副井提升机为例，分析ＡＢＢ提升机主控程序的设计方法和基本原理。     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.     

提高采收率的工程：包括井口设计,完井和采油作业（一）

本文详细说明了注入井和采油井的井下工况。即温度、压力、酸性以及腐蚀性液体和气体条件。并用示意图说明五种提高采收率的工艺技术。     

瑞典ABB矿井提升机自动调速原理分析与实践

介绍了瑞典ABB公司矿井提升机在自动控制方式下的速度控制原理。     

机织物计算机辅助设计教学实习软件

本文介绍了一个机织物计算机辅助设计教学实习软件．它集小花纹织物ＣＡＤ与大花纹织物ＣＡＤ于一身，既能完成小花纹织物的设计，又能完成大花纹织物的设计．该系统还可控制电脑小样织机或电子轧花机工作，直接完成小样织造或花板的轧制，具有一定的实用性     

断陷湖盆陆相层序中体系域四分性探讨──泌阳断陷下第三系核桃园组为例

断陷湖盆中一个完整陆相层序的体系域具四分性,即低水位体系域(LST)、水进体系域(TST)、高水位体系域(HST)及水退体系域(RST),该四分体系域具显着的几何构型特征,它们分别由低位加积小层序组、退积小层序组、高位加积小层序组及进积小层序组构成.陆相层序四分体系域是一个沉积基准面旋回所引起的可容空间旋回性变化的沉积响应.对于断陷湖盆的一个完整陆相层序,其体系域划分原则为:湖相厚层泥岩代表高水位体系域,它是水退体系域和水进体系域的分界;初始湖泛面之上为水进体系域,其下为低水位体系域.断陷湖盆中一个完整的陆相层序自下而上依次由下列层序单元构成;层序界面(SB)→无湖岸上超的低水位体系域→湖岸显着上超的水进体系域→由沉积速率缓慢的垂向加积型湖相泥质岩构成的高水位体系域→湖岸显着退却的水退体系域→层序界面(SB).