ZnO压敏陶瓷的微波烧结

对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结,通过XRD、SEM分析和电性能测试,与普通烧结比较,微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷,显著缩短烧结时间;在相同晶粒尺寸下,微波烧结温度更低,瓷体更致密;并能获得较好电性能．微波烧结为ZnO压敏陶瓷材料制备提供了一条新的、高效节能的途径．     

CoMnNi氧化物非晶薄膜退火研究

用高频溅射法生长CoMnNi氧化物非晶薄膜并进行退火实验.对不同温度退火的样品作X射线分析及电阻测量.结果表明,CoMnNi氧化物非晶薄膜在低于550℃退火,薄膜发生结构弛豫,电阻率升高;550～750℃温区退火,薄膜结构产生晶化.随着退火温度的升高,晶化程度增强,电阻率逐步下降;高于750℃退火,薄膜开始由立方尖晶石向四方尖晶石结构转化,电阻率增大.还给出了老化实验结果.     

ZnO纳米粉对压敏陶瓷材料显微结构和电学特性的影响

用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备掺杂的ＺｎＯ纳米粉体，分析讨论了这种粉体对材料显微结构，材料电学特性如非线性系数，压敏电压和介电特性的影响，与传统方法制成的粉体相比，ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制成的纳米粉人有掺杂均匀，晶粒尺寸分布均匀，其电学特性得到较大提高。     

SiC非晶薄膜温度传感器

高频溅射生长的SiC非晶薄膜是一种含有Si-Si、Si-C、C-C键的混非晶结构。文中着重介绍了SiC非晶薄膜的直流电导、交流特性、退火性质、老化特性和R-T特性,为SiC薄膜温度传感器的设计提供了理论依据。     

多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响

主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响。研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发并穿过晶界势垒形成的,电导同时受晶粒和晶界的控制;材料的电阻–温度特性不是严格的指数曲线;材料常数与温度有关。因此,研究晶界的行为,对制备高性能NTC材料具有重要意义。     

镍、金掺杂n型硅材料的NTC和电学特性

Silicon materials compensated by deep level impurities such as nickel and gold have negative temperature coefficient （NTC） characteristics. In this work, n-type silicon wafers are smeared by nickel chloride ethanol solution and gold chloric acid ethanol solution, and subsequently put in the opening environment to heat. The electrical resistance and B-value of the thermistors made by this silicon material are measured and analyzed. When the silicon surface concentration of gold atoms is 2 × 10-6 mol/cm2, the uniformity of the single-crystal silicon material is optimal. When the diffusion temperature is between 900 and 1000 ℃, a material with high B-value and low electrical resistivity is obtained. The B-T and R-T change laws calculated by the theory of semiconductor deep level energy are basically consistent with the experimental results.     

沿岸输沙完全受阻时的问题的解

本文假定在沿岸输沙的问题中波峰线和岸线之间的夹角是可变的,导得了非线性偏微分方程,再用变量变换把这方程化为非线性常微分方程。然后求出了丁坝问题的摄动解。由结果可见岸线的增长会加快,这一点可予以合理的解释。     

水动力学研究与进展1987年暑期研讨会暨研究生学术交流会在广州举行

由《水动力学研究与进展》编委会、中国力学学会水动力学组和中山大学力学系联合主办的水动力学研究与进展1987年暑期研讨会暨研究生学术交流会于8月9日至23日在广州举行。参加会议的有海洋工程、船舶工程、水利工程与机械工程界从事流体力学与水力学研究的单位67个,代表163人,其中已毕业与在读的研究生占主要成份。会议由《水动力学研究与进展》编委会付主任、中国船舶科学研究中心所长董世汤教授致开幕词,中山大学力学系主任张涤明教授致欢迎词,章克本付教授自始至终主持研讨会。