闪光釉制备工艺对其性能的影响

闪光釉的特征是对入射光有金属镜面般的反射 ,研究表明 ,这种反射是由釉中以 (2 0 0 )晶面平行于釉面的CeO2 晶粒造成的 ,晶粒的取向程度越高反射越强。闪光釉的闪光效果可用晶粒取向度F来表征。制备工艺对F影响强烈。本工艺条件下 ,CeO2 质量分数为 6 %～ 8%、熔制温度 135 0℃、保温 2 0～ 30min ,获得F为 6 0 %的闪光釉     

AlN-BN复合陶瓷及在微波输能窗上的应用

介绍了微波输能窗材料及AlN BN复合陶瓷研究现状。AlN BN复合陶瓷具有导热率高、微波透射率高、可加工性好等优点。着重探讨了AlN BN复合陶瓷的介电性能及影响因素 ,以及利用AlN BN复合陶瓷开发新型大功率输能窗的方法和措施。     

高性能浸渍型阴极材料研究进展

阴极是微波管的心脏,阴极材料的研究受到国内外的高度重视.介绍了大电流密度阴极基体材料、发射电子材料及表面覆膜材料研究状况,详细地讨论了阴极的发射机理.     

机械合金化制备Ag-Cu_(28)合金过程的研究

采用机械合金化法制备Ag-Cu28二元共晶合金,通过正交试验研究球磨机转速、球料比及过程控制剂对合金化过程的影响,利用XRD、SEM、TG-DSC等方法对球磨粉料的物相组成、微观形貌、熔化特性等进行表征.结果表明:Ag、Cu经过30h球磨,生成了Ag(Cu)过饱和固溶体,其熔化温度为783.8℃,该合金属于亚稳态结构,退火处理后以富银、富铜相形式存在.合金化过程中,硬脂酸作为过程控制剂的加入可以有效地减小颗粒尺寸,但对合金化不利.     

AlN-SiC复相微波衰减材料性能的研究

采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当SiC含量小于40%时,复相材料的频谱特性表现为选频衰减且衰减量比较小;当SiC含量在40%~70%时,复相材料的频谱特性表现为宽频衰减,且随着SiC含量的增加衰减量也逐渐增加,最大衰减量达到了-2.3 dB左右;当SiC含量大于70%时,复相材料的频谱特性表现仍为宽频衰减,但随着SiC含量的增加衰减量没有明显的变化。初步探讨了AlN-SiC复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。     

丙烷脱氢制丙烯Cr_2O_3/Al_2O_3催化剂的失活研究

以三氧化二铝为载体,通过浸渍法制备了Cr_2O_3/Al_2O_3催化剂并应用于丙烷脱氢制丙烯反应,研究Cr_2O_3/Al_2O_3催化剂的失活原因。借助XRF、强度测试、BET、XRD、TPD、TPR、UV、TG等表征手段考察了新鲜催化剂和使用后催化剂的物性、晶型、酸性、组分作用、价态及积炭的变化。结果表明,随着Cr_2O_3/Al_2O_3催化剂的长时间使用,活性组分三价铬离子和氧化铝晶相发生变化且催化剂表面的活性组分三价铬离子逐渐由催化剂表面进入催化剂的体相,导致晶型转变,进而导致催化剂的活性降低。     

ODR反射器结构对InGaAs电池性能增益的研究

光谱匹配更良好的反向三结InGaP/GaAs/InGaAs太阳电池是进一步提高空间用太阳电池性能的重要技术方案。然而，整个电池的性能受InGaAs子电池弱的抗辐射性能影响，制约其空间应用。基区减薄是提高电池抗辐照性能的主要手段，然而会带来电流不足的问题。通过在基区减薄的InGaAs电池底部引入全方位反射器(omnidirectional reflector, ODR)结构，在提高其抗辐射性能的同时保证了其电流密度。通过光照I-V测试及外量子效率(EQE)测试，发现ODR结构的引入可增加载流子收集率提高短路电流密度。通过光照I-V测试及暗态I-V测试，发现ODR结构的引入降低了复合电流，并提高了开路电压。结合理论分析，载流子收集率的增益以及复合电流的降低有利于提高填充因子。最终，ODR背反射结构有效提高了基区减薄InGaAs电池的性能。