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271.
272.
采用机械球磨LiNH2/MgH2混合物(摩尔比2/1.1)制备一种新型储氢材料Li-Mg-N-H.在氩气保护下,将样品分别球磨2 h(1 #)、5 h(2#)和10 h(3#).DSC测试结果表明,3种样品均可在170℃左右开始快速放氢,且随着球磨时间增加,放氢温度呈下降趋势.吸放氢测试结果显示200℃时,样品在6 MPa最大吸放氢量为4.4%,0.1 MPa放氢压力条件下最大放氢容量为3.39%,上述反应在1 h内可完成总量的80%以上;随着球磨时间增加,样品活性增大,首次吸放氢循环即可达到最大容量,但球磨时间过长导致样品吸放氢容量的下降.运用XRD考察了样品吸放氢循环前后的物相变化. 相似文献
273.
在不同可控氧化条件和相同浸润条件下获得合金与玻璃的浸润件,并分别分析氧化温度和氧化气氛N2载水/H2流量比对Fe-Ni-Co可伐合金表面氧化膜成分与形貌以及氧化膜-玻璃浸润角、结合强度和循环稳定性等的影响。XRD结果表明:N2载水/H2比例高于170/10时,800℃以下为单一Fe3O4相,900℃生成Fe3O4+FeO混合相;N2载水/H2比例降低为140/10时,800℃生成Fe3O4+FeO混合相。SEM形貌分析表明相同N2载水/H2流量下,升高反应温度,会使氧化物颗粒增大;同一氧化温度下,N2载水/H2比例的增大,氧化物颗粒减小且致密。与玻璃浸润性能研究表明,氧化条件为800℃,N2载水/H2=200/10时得到的单一Fe3O4与玻璃的浸润性最优,其玻璃浸润角为3.01°,拉伸剪切强度为7.16 MPa,且具有良好的冷热循环稳定性。 相似文献
274.
目的:研究金针菇深层发酵的条件、培养菌丝体及菌丝体多糖的提取工艺。方法:通过发酵罐发酵研究金针菇深层发酵的条件及培养菌丝体;通过单因素试验及正交试验研究菌丝体多糖的水浴提取工艺。结果:试验确定了金针菇发酵的最佳种龄为48h、最适接种量是15%,菌丝生长曲线测定确定了发酵周期为培养时间96h,溶氧30%-50%,25℃培养;水浴提取金针菇菌丝体多糖的最佳工艺是:料液比1:60,水浴时间90min,水浴温度60℃。结论:明确了金针菇深层发酵的培养条件,通过发酵罐发酵每升发酵液可得到40g金针菇菌丝体(干重、得到了金针菇菌丝体多糖的水浴提取工艺。 相似文献
275.
Mg-Ni-Ti19Cr50V22Mn9的结构及氢化动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用机械合金化方法,将质量百分数为85Mg-5Ni-10Ti19Cr5oV22Mn9的复合材料在氢气保护气氛下球磨8h制备出复合储氢材料。用体积法测量了它在不同条件下的储氢性能,利用X射线衍射、显微镜技术和激光粒度分布仪考察了球磨时间对材料结构的影响,分析了氢化动力学与结构的相互关系。研究了材料在523K-573K的氢化反应动力学机理。结果表明,该复合材料在573K,20min内的吸放氢量分别为6.7%和6.6%。氢扩散为其限制性环节,吸放氢活化能分别为63kJ/mol和69kJ/mol。 相似文献
276.
277.
为了研究卷边接头激光钎焊热现象,进行了母材为镀锌板,CuSi3作为钎料的激光钎焊实验.基于激光钎焊原理和卷边接头焊缝成型特点,通过有限元分析法对激光钎焊温度场进行了数值模拟,采用高斯双椭球复合热源模型模拟了钎料融化铺展流动的传热行为,模型考虑了材料热物理属性随温度变化的问题以及相变潜热、辐射和对流对传热的影响,对不同激光钎焊工艺参数下的温度场进行计算,结果表明:当激光功率为1200W,焊接速度为1.5 m/min,离焦量为30 mm时,卷边接头的峰值温度和温度梯度较低,对于获得成形质量良好的钎焊接头更为有利. 相似文献
278.
采用SEM、EDS、BET和气相色谱等分析方法,研究了NaOH碱处理对5A分子筛显微形貌、成分、比表面积、孔容和氢吸附性能的影响。结果表明,NaOH碱处理降低了5A分子筛骨架中硅铝比,增大分子筛比表面积、孔容和平均孔径,提高了分子筛活化温度。在77K温度及100KPa压力下,碱处理5A分子筛对含0.1vol%H2/He混合气体吸附后尾气氢浓度小于1ppm,氢吸附容量为6.9ml/g。碱处理增加了5A分子筛介孔数量和比表面积及平均孔径,但因为孔径增大,吸附中心周围阳离子对H2分子的作用减弱,碱处理5A分子筛低分压氢吸附容量并无增加。 相似文献
279.
以单晶硅(111)和载玻片为基体,采用离子束辅助沉积技术沉积AlO_xN_y薄膜,使用XPS、XRD和椭偏仪研究了氮氧比对AlO_xN_y薄膜的成分、相结构和光学常数的影响。结果表明,随着氮氧比减小,薄膜中氮含量减小,氧含量增加;薄膜由非晶态转变为结晶态,结晶相为AlO_xN_y。沉积薄膜的消光系数为零,呈现电介质特性。随着氮氧比减小,沉积薄膜的折射率减小。随着氮氧比的减小,薄膜中的Al-O键增多是导致AlO_xN_y薄膜折射率减小的主要原因。 相似文献
280.