失效磷酸基抛光液直接制备纳米锥冰晶石

研究由失效磷酸基抛光液直接制备纳米锥冰晶石新工艺。在反应温度50℃,反应时间40 min,搅拌速度200 r/min,氢氧化钠用量为理论化学计量的1.0倍,氢氟酸添加量为理论化学计量的1.2倍,静置时间1 d的条件下,失效磷酸基抛光液中铝脱除率可达90%以上,锥冰晶石产率为抛光液处理质量的8%～10%,锥冰晶石粒径在25～30 nm。与传统失效磷酸基抛光液处理工艺比较,新工艺不仅使抛光液得到再生利用,而且容易获得纯度高的纳米锥冰晶石产品,具有良好的推广应用前景。     

TiNi合金化学抛光工艺及其对耐蚀性的影响

对ＴiNi合金化学抛光液的组成和抛光工艺进行了研究和优化发现,化学抛光的质量不仅与抛光液配和抛光工艺直接相关,还与ＴiNi合金的处理状态有关,冷轧态固溶及退火态易获得低的表面粗糙度,用电化学方法测试了化学抛光与机械抛光试样的阳极极化曲线,结果表明,化学抛光能提高ＴiNi合金的点蚀电位（Ｅb) ,降低再钝化电位（Ｅrp)从而显著提高其耐蚀性,使化学抛光的表面达到镜面状态。     

有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响

硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定。     

铝材及铝制品的电解抛光处理（1）铝的抛光处理系列文章之六

电解抛光又称电化学抛光，以被抛光的材料或工件为阳极，以不溶性金属为阴极，利用直流电在电解液中进行电解的过程。较为详经车地论述了电解抛光处理，但此种处理是一种复杂技电化学过程，任一种机理都不能完全解释所有的现象。电解抛光可分为两类：一是在机械抛光后进行，以获得光亮的镜面；另一是取代机械抛光或化学抛光。     

一种新型多用途实用抛光液

随着工农业的发展和人民生活的提高,不锈钢(本文特指ICr18Ni9Ti)得到广泛应用.为了得到装饰性表面和某些特殊要求,其制品通常要进行化学抛光.通常我们所需要的抛光液,成本要低、操作应简单、抛光液应具有良好稳定性,在此基础上获得漂亮光亮表面.通常介绍的各种不锈钢抛光液,很难同时达到上述要求.笔者在不锈钢抛光实验中,研制出一种新型抛光液.该抛光液只需在硫酸、硝酸、盐酸三酸作用下,引入适量抛光剂KGB_1,便能得到理想抛光表面.在该抛光液中加入适量的柠檬酸、酒石酸等络合剂.可以进一步提高抛光表面.另外在实验中发现,该抛光液能进行刻划板、高温耐热钢的有效抛光.将此配方略为变动,只     

高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅱ)──配位剂、抑制剂、磨料及其他

综述了Co作为高密度集成路电子制程的阻挡层及互连材料时,化学机械抛光液中常用配位剂、抑制剂、磨料及其他成分的研究进展和作用机制,展望了Co化学机械抛光液的发展。     

硒化镉晶片的化学机械抛光

硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求.     

碱性抛光液对铜与钽CMP选择比的影响

在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能。通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯合剂、氧化剂、pH值、活性剂对铜与钽CMP选择比的影响。根据铜与钽的CMP去除机理,从实验结果分析出对铜、钽去除速率影响较为明显的成分,调节这些成分得到特定配比的抛光液,分别实现了铜与钽的去除速率相等、铜的去除速率大于钽、铜的去除速率小于钽。使用上述铜去除速率小于钽的抛光液对12英寸(1英寸=2.54 cm)图形片进行抛光,通过原子力显微镜观察,证明了这种抛光液能有效地修复多层布线CMP中的蝶形坑等缺陷。     

ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析

对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析,指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向.