季铵化壳聚糖及其絮凝六价铬性能的研究

以3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵(CTA)为改性剂接枝改性了壳聚糖,制备得到了2-羟丙基三甲基壳聚糖季铵盐(CTA-CTS),用红外光谱和核磁共振表征了产物的结构;用得到的产品处理含Cr2O72-的模拟电镀废水,研究了接枝时间、废水的pH值、CTA-CTS的质量浓度对Cr(Ⅵ)去除能力的影响。结果表明:接枝反应主要发生在—NH2上,并以反应时间为10.0h的产品对Cr(Ⅵ)的去除能力较强,在pH值为5.0,CTA-CTS的质量浓度为100mg/L左右时,对Cr(Ⅵ)的去除率可达95%。     

甲壳低聚糖的制备、特性与应用研究进展

综述了甲壳低聚糖的制备方法,并详细介绍了甲壳低聚糖的特性研究及其在食品医药工业等方面的应用进展。     

氧化偶氮胂Ⅲ褪色光度法测定微量碘的研究

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3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵的自催化合成及其合成条件优化

以盐酸三甲胺和环氧氯丙烷为原料,利用正交实验的方法合成了活性阳离子醚化剂3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵(CHPTA),通过水蒸汽蒸馏和正丙醇重结晶的方法有效提高了CHPTA产品的纯度;并用元素分析、熔点测定、红外光谱分析及核磁共振分析的方法对产物进行分析和表征。正交实验的结果表明反应温度和反应时间对CHPTA的收率影响较大。优化的合成条件为反应2h。反应温度35℃,环氧氯丙烷／三甲胺盐酸盐的摩尔比为1．1,在此条件下CHPTA的收率可达96％以上。     

C_5/C_6烷烃异构化技术进展

简要介绍了烷烃异构化热力学及动力学影响,同时简述了C_5/C_6异构化工艺技术的研究进展,包括"一次性通过工艺"、"脱异戊烷+一次通过工艺"、"脱异构烷烃+循环工艺"、"脱异戊烷+脱异构烷烃+循环工艺"、"脱异戊烷+一次通过+脱异己烷+脱戊烷工艺"。     

器外预硫化催化剂加氢脱酸性能研究

为探索器内硫化与器外预硫化催化剂的催化活性,采用等体积浸渍法制备同一批次镍-钨氧化态催化剂,分别采用器内硫化与器外预硫化得到3种不同的催化剂,考察3种新鲜催化剂的物化性质、催化活性和使用后催化剂的物化性质。结果表明：随着催化剂上硫化物负载量增加,预硫化催化剂的表观密度增加,比表面积、孔容、平均孔径均降低,同时预硫化催化剂在各个孔径范围内的分布均降低;3种催化剂中高负载硫的器外预硫化催化剂上W ⁴⁺态金属和NiWS活性相原子分数最高,器内硫化催化剂次之,低负载硫的器外预硫化催化剂最低;在反应压力为3.0 MPa、空速为1.0 h ^-1、氢油体积比为400∶1条件下,以绥中常二线、减三线馏分油为原料在不同反应温度下评价催化剂的活性,高负载硫的器外预硫化催化剂的脱酸、脱硫、脱氮活性最高,器内硫化催化剂次之,低负载硫的器外预硫化催化剂的催化活性最差。     

新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感

提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法 .这种方法是直接在硅衬底形成间隔的 pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流 .衬底 pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺 .本文设计和制作了硅集成电路 ,测量了硅集成电感的 S参数并且从测量数据提取了电感的参数 .研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素 Q的影响 .结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果 .在 3GHz,衬底 pn结隔离能使电感的品质因素 Q值提高4 0 % .     

废水中S2-含量的间接电化学测定

在弱酸性(0.2mol/L醋酸-醋酸钠缓冲溶液,pH4.50)介质中,Cu2+与废水中的S2-发生完全定量化学反应,过量的Cu2+用方波伏安法检出,从而实现工业废水中S2-的间接测定.在上述实验介质条件下,Cu2+在汞膜电极上还原而呈现灵敏的方法伏安峰,其峰电位为-0.12v,检测下限达2.0×10-6mol/L,并且在很大的范围内有着极好的灵敏度,结果准确,不受其它干扰离子的影响.     

新型含硼无机高分子絮凝剂的应用性能

用含铁、铝金属核和含活性二氧化硅的交联剂进行硼的改性,合成了一种新型的含硼无机高分子聚硅酸铝铁絮凝剂(PFASSB),研究了不同组成对絮凝性能的影响.对印染废水的对比絮凝实验表明,PFASSB絮凝剂的应用性能明显高于传统的絮凝剂.     

微机过热保护元件单相电流测试法探讨

在微机综合保护器过热保护元件校验中,电流回路分别输入三相平衡电流和单相电流时,得到相对应的电流时间特性曲线,通过对这些不同的特性曲线进行分析判断,能够正确地判断过热保护元件是否正常工作.文中探讨了在实际工作中,利用单相电流测试法对三相电子式过热保护元件进行测试、判断其能否正常工作的方法.