纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

粗粒土渗透变形机制浅析

对砂卵砾石的渗透变形的形成条件进行了简要分析，在此基础上对渗透变形的形式进行了简要评价，并提出了渗透变形临界坡降的计算方法。     

一种计算气藏动态储量的新方法

本文提出了一种计算气藏动态储量的新方法。使用该方法计算渗透性差、非均质性强的气藏的动态储量，具有较高的准确性。     

MIS原型开发工具PDT2.0

本文概述了研制ＰＤＴ的背景，并详细介绍了设计ＰＤＴ的具体考虑和实现的功能、特点，最后给出了对它的评价。     

一种通断时间可调的定时器

本文介绍一种产生长周期脉冲的新型电路，用于一些控制电路的自动接通与断开。重点说明其工作原理及设计考虑。     

一种实用的开关电源电路

本文介绍了目前流行的开关稳压电源及其优点，并提供了一个典型的开关电源电路，可用于工业自动化、国防及通讯设备等需要高品质直流稳压电源的领域，具有较广阔的应用前景。