基于RBF神经网络的模拟数字信号调制识别

针对多种信号在低信噪比条件下识别率低的问题,利用高阶累积量良好的抑制噪声特性,通过构造高阶累积量作为特征参数之一,并联合其他特征参数,采用优化的径向基神经网络对模拟数字信号进行自动调制识别。Matlab仿真表明,该种方法能够有效提高低信噪比条件下的信号识别率。     

CMOS离子敏场效应管SPICE模型

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。     

MOS与双极型两级放大器的性能差异分析

主要阐述了MOS两级放大器和双极型两级放大器的工作原理及其性能差异。其研究工作主要集中在直流电压增益、直流失调、小信号频率响应、转换速率和带宽的限制等五个方面。     

单片机控制显示器接收电视节目

接收来自有线电视(或天线)的射频信号,经处理后以适当的信号输出格式在CRT显示器、LCD显示器或PDP显示器上显示图像内容,电脑电视接收机输出的声音信号可送入有源声音系统(例如功放,家庭影院等)作进一步处理。能够将流行的视频设备(例如录像机、DVD播放器等)的基带视频信号(CVBS)、S-VIDEO信号、分量(YCbCr)信号转换成显示器可显示的信号格式。     

ZnO纳米线的低温生长及其发光特性

采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.     

单片机实现遥控器键盘功能接口及应用

在介绍红外遥控器原理的前提下,深入研究了PS2键盘鼠标协议的工作原理和实现过程.重点给出了红外遥控键盘收发系统是如何实现的,包括红外遥控器与P87LPC764单片机的硬件接口电路和接口软件模块实现遥控键盘的编程方法,该设计适用于各种电子产品.     

LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。     

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.     

一种新颖的功率集成电路的过流保护设计

根据热阻与电流的关系,提出一种新颖的功率集成电路的过流保护电路。通过对过流情况下电源电流与结温关系的研究发现,当芯片出现过流情况时,芯片温度会迅速升高,从而导致芯片因过流而失效。基于以上的研究结果提出利用芯片中的过热保护电路来实现过流保护,既节省了芯片面积又保证了芯片性能,从而提高了产品的性价比。通过实际测试所设计芯片的数据,证明了本电路设计的合理性。     

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低