涂层导体用NiW合金基带表面改性研究

由于硫元素与氧元素化学特性的相近,在Ni基带表面形成硫的c（2×2）-S有序超结构有助于控制在金属Ni基带表面生长的氧化物膜的织构类型。目前,大多数关于在Ni基带表面形成c（2×2）-S超结构的研究报道,都集中于以硫化氢气体作为硫源,采用先吸附后脱附的方法形成该结构。首次提出通过硫化铵水溶液硫化NiW合金基带,再通过热处理去除无序的物理吸附层,形成有序c（2×2）-S超结构的新技术路线。采用AES和RHEED分别对采用新硫化技术处理后的样品表面成分和结构进行研究,并通过XRD对硫化前后的NiW基带上采用化学溶液技术制备的缓冲层织构进行了研究。结果显示,采用新技术处理的金属基带表面有明显的硫元素存在,并且硫在NiW合金基带表面形成了c（2×2）-S超结构。新硫化处理技术改善了NiW基带表面的物理化学特性,有利于氧化物缓冲层的外延生长。     

富硼渣钠化法制备硼砂的实验研究

采用X射线衍射分析(XRD)方法分析表明,富硼渣中的硼组分主要以Mg2B2O5形式存在,而钠化渣中的硼组分以Na4B2O5和NaBO2晶相形式析出.为提取富硼渣中的硼,考察了热处理温度、碳酸钠加入量、热处理时间、水浸温度等因素对钠化渣中硼浸出率的影响.同时考察了富硼渣中w(Al2O3)、w(CaO)、w(B2O3)、m...     

MOD法在La0.47Sr0.53TiO3/LaAlO3上沉积YBa2Cu3O7-σ超导层的研究

实验通过无氟的金属有机物液相沉积法在单晶LaAlO3(LAO)基底上生长La1-xSrxTiO3缓冲层,之后在其上生长YBa2Cu3O7-σ(YBCO)超导层,这种制备方法与真空沉积法和三氟乙酸金属有机物沉积法相比,具有成本低、效率高和环境友好等优点,对YBCO涂层导体的实际应用更具有研究价值.X射线衍射(XRD)结果表明,在LAO基底上生成了纯净的La1-xSrxTiO3膜,在La1-xSrxTiO3/LAO结构上生成了单相的YBCO膜,构成两种膜的晶粒均具有沿垂直于基底表面的c轴方向择优生长;通过半定量的能谱分析(EDS)确定缓冲层La1-xSrxTiO3为La0.47Sr0.53TiO3相,表明部分La元素挥发;扫描电子显微镜(SEM)结果表明在LAO基底上生成的La0.47Sr0.53TiO3膜平整光滑;在La0.47Sr0.53TiO3/LAO结构上生长的YBCO成膜颗粒聚集成片状,相互叠加生长,形成平行于基底表面的超导层.     

从YBaCuO废料中回收金属银

以含银的废弃YBaCuO化合物为原料,对其中所含的贵金属银进行了回收,并对实验过程中的影响因素进行了分析。银回收的具体方法为:用硝酸法溶解YBaCuO粉末样品,生成硝酸盐溶液,再加入盐酸使生成氯化银沉淀,之后氯化银与Na2CO3在1000℃共熔得到金属银。分析结果证明,过滤得到的氯化银较为纯净,银的纯度为95.86%,银回收率可达92.56%。     

光电比浊法测定硼酸中的氯

研究了在硝酸介质中,利用AgCl胶体悬浮液在丙三醇中的稳定性,通过光电浊度仪测定硼酸中微量氯的方法.实验讨论了稳定剂用量、酸度、硝酸银用量、预热温度、预热时间、暗置时间、测量时间对溶液浊度的影响,从而确定了测试的最优条件,使分析易于操作.AgCl悬浮液的稳定性较差,并容易受到温度等因素的影响,加入丙三醇溶液增强了AgCl胶体的稳定性,可使测量时间保持在40 min,提高了测定的精密度与准确度.方法的检出限为0.030 mg/L,相对标准偏差RSD＜0.04%,回收率在102.2%～106.5%之间.氯的质量浓度在0.10～0.25 mg/L范围内与浊度值之间呈良好的线性关系.方法简便、可靠、无毒,可在实际中应用.     

Ni5W合金基带的热处理工艺

为了制备能够满足YBCO涂层导体所需的高强、低磁性基带,采用轧制辅助双轴织构技术(RABiTS)制备Ni-5at%W(Ni5W)合金基带,在不同温度及热处理制度下进行再结晶热处理。采用背散射电子衍射技术对基带织构情况进行研究,结果表明,Ni5W合金基带的初始再结晶温度为700℃,随退火温度升高,轧制织构不断向立方织构转变,在1200℃时立方织构百分含量接近100%。采用700℃预退火30 min后在进行1200℃退火1 h后,基带立方织构含量仍然很高,并且比一步退火法获得的立方织构更为锐利。     

MOD法在LaAlO3单晶上沉积La0.4Sr0.6CoO3导电缓冲层

用金属有机物沉积(MOD)法在LaAlO3(100)单晶基底上制备了立方钙钛矿型导电缓冲层La0.4Sr0.6CoO3(LaSrCoO)薄膜。根据热分析曲线确定前驱膜的热处理工艺,其中前驱膜的热分解温度为620～800℃,涂膜的结晶温度为825℃。由X射线衍射(XRD)分析可知,热处理后涂膜的主相是LaSrCoO,其择优取向为<100>;另外还有La2CO5和LaCoO3等杂相。由φ扫描和(100)极图可知,所制备的涂膜有较强双轴织构。用标准四引线法测量了涂膜的室温和低温电阻率,在77K时达到1.04×10-4?·m,实现了沉积导电缓冲层的目的。     

电泳沉积法在Ni-W基带上制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导厚膜(英文)

研究La0.4Sr0.6TiO3(LSTO)缓冲层和YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导厚膜的低成本制备技术。采用X射线衍射分析LSTO和YBCO膜的晶体取向,利用标准四引线法分析LSTO薄膜的导电性能和YBCO厚膜的超导性能。首先采用金属有机沉积法(MOD)成功在Ni-W基带上制备取向较好、表面光滑致密的LSTO缓冲层;然后采用电泳沉积(EPD)技术制备YBCO超导厚膜。研究电泳沉积电压和沉积时间对YBCO涂层性能的影响。结果表明:138V下电泳沉积35 min所制备的YBCO涂层,临界电流密度可达600 A/cm2(0 T,77 K)。     

从YBaCuO废料中回收金属银

以含银的废弃YBaCuO化合物为原料,对其中所含的贵金属银进行了回收,并对实验过程中的影响因素进行了分析.银回收的具体方法为:用硝酸法溶解YBaCuO粉末样品,生成硝酸盐溶液,再加入盐酸使生成氯化银沉淀,之后氯化银与Na2CO3在1 000℃共熔得到金属银.分析结果证明,过滤得到的氯化银较为纯净,银的纯度为95.86%,银回收率可达92.56%.     

Ti-6Al-4V钛合金固体渗硼法表面改性

对TC4钛合金(Ti-6Al-4V)进行表面渗硼使其表面硬度显著提高.渗硼温度为1000℃到1050℃,渗硼时间为5 h到20h.文内测量和比较了渗硼后钛合金表面的微结构、形貌、相组成等性质,研究了渗硼过程中Ti,Al,V,B等元素的扩散行为.在低温短时间渗硼时,渗硼层厚度仅0.8μm,而在高温长时间渗硼时,渗硼层厚度可达15 μm.实验证明,渗硼层由TiB和TiB2两相组成,并且它们的含量随渗硼温度提高而增加.渗硼层表面主要含TiB2,其显微硬度可达2200 HV0.01,渗硼层内表层主要含TiB,其显微硬度为1100 HV0.01.渗硼层的硬度远高于TC4钛合金的硬度.