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31.
开关磁阻电动机绕组电流的非正弦性,使其电流测量及功率计算等较为困难,结合所研制的SRM测试系统,详细介绍了SRM某些参数的测量计算方法,分析了测量中应考虑的多种因素,介绍了该测试设备,给出了一台30kW SRM的测试结果。  相似文献   
32.
用电共沉积方法制备InGaAs薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。  相似文献   
33.
无位置传感器开关磁阻电动机位置的检测与预报   总被引:13,自引:7,他引:6  
讨论了开关磁阻电动机通过在非通电相加激励脉冲判断转子位置,从而取消转子位置传感器的理论依据,建立了最高激励脉冲频率的数学模型,分析了此方式下激励脉冲频率对系统控制精度的影响,提出了利用曲线拟合算法来预报转子位置,从而更准确地控制各相绕组开通与关断的新方法。详细的仿真分析证实了该方法的可行性,并在1台12/4极三相开关磁阻电动机(SRM)上进行了试验,效果较好,进一步验证了该方法的有效性。  相似文献   
34.
正在Semicon China 2014后的一周,我来到近年来在国内测试机行业做得风生水起的北京华峰测控技术有限公司,并采访了该公司在这次Semicon China 2014上最新展出的AccoTEST新一代模拟/混合IC测试系统的主设计师之一的年轻的周鹏先生,同时周鹏也是北京华峰测控技术公司的总工程师。这也是本刊连续3年对华峰测控公司的AccoTEST事业部进行跟踪报道的一次采访。之前已采访报道了公司经营、市场策略和运作;这次专访周总,我们来听听他是如何看待产品、技术和未来发展的吧。  相似文献   
35.
正6月24日,由工业和信息化部、发展改革委、科技部、财政部等部门编制的《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布,实施细则也将相继出台。投资基金、推广应用、打造产业链等系列政策对集成电路产业的扶持力度堪称近十年之最,力度远超"18号文件"和4号文,将成就集成电路产业新的"黄金十年"。就《纲要》的内容与解读,本刊编辑采访了工业和信息化部软件与集成电路促进中心主任邱善勤。  相似文献   
36.
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响   总被引:11,自引:0,他引:11  
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.  相似文献   
37.
利用ANSYS软件对毛细管电泳芯片微沟道内样品流动情况进行模拟,获得了不同进样模式下微沟道的结构与流体流速之间的关系,对芯片整体结构参数进行设计:毛细管微沟道最终尺寸为宽度16μm,深度10μm,有效分离长度为3.5cm的圆角转弯形沟道.采用激光诱导荧光原理进行实验测试,建立测试系统,对两段不同长度的DNA片段实现了基线分离, 研究结果为毛细管电泳芯片的进一步应用奠定了基础.  相似文献   
38.
从技术及应用方面,对芯片实验室在近几年内的研究现状和发展趋势予以综述.介绍了芯片实验室的加工技术、基底材料的选择以及常用的几种检测手段,并详细阐述了该技术在临床分析、环境监测、核酸和蛋白质分析以及细胞和离子的检测中的应用.  相似文献   
39.
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。  相似文献   
40.
全球领先的半导体测试设备供应商爱德万测试自1972年跨足半导体测试领域,目前已成为全球电子产业晶圆测试与分类解决方案领导者。爱德万测试一直以创新的实力领导业界发展,并坚持品质与可靠性至上的原则。为更好的服务全球客户,爱德万测试分别在日本、美国、德国设置研发中心,同时,在欧洲、新加坡、韩国、台湾地区及中国大陆均设有分公司,爱德万测试也非常看好并重视中国大陆半导体市场,亦在苏州、北京、成都、西安、大连等地设置  相似文献   
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