物联网技术在海关港口集装箱运输监管中的应用

二十一世纪的海关港口物流面临着贸易全球化的冲击,对于自身的要求也越来越高。集装箱运输因其本身具有其他交通运输方式不可替代的优势和特点(私密性好、运输成本低、环境适应性强),其发展前景极其广阔。我国海关港口也始终将集装箱运输作为重点开拓及大力发展的工作重心。而作为我国五大新兴战略性产业技术之一的物联网技术,能够极大的改善目前集装箱运输存在的工作方式落后、工作效率低下及作业流程不够精炼等问题。     

档案鉴定工作当前存在的问题与对策：从建设单位施工图的归档看鉴？…

本文就基本建设档案中施工图是否归档提出了个人的见解。     

Study on Magnetic Domains in Sm-Co Based Alloy

ＳｔｕｄｙｏｎＭａｇｎｅｔｉｃＤｏｍａｉｎｓｉｎＳｍ－ＣｏＢａｓｅｄＡｌｌｏｙＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ，ＳｈａｏＢｅｉｌｉｎｇ，ＷａｎｇＸｉａｏｈｕａａｎｄＷａｎｇＪｉｎｇ（刘安生）（邵贝羚）（王晓华）（王敬）（ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔ...     

内磁屏蔽钢连续冷却转变规律研究

在Gleeble-1500热／力模拟机上采用热分析法和热膨胀法测试内磁屏蔽钢在不同试验工艺参数下的相变点，分析不同试验工艺参数对其影响并建立3种试验工艺下的CCT曲线。试验结果表明：形变促进铁索体转变，使得连续冷却转变曲线左移；同一冷却速率下动态Ar3f比静态Ar3f高，通过降低终轧温度其作用更为明显。     

基于介电响应的植物油纸绝缘热老化特性研究

为研究植物油浸渍绝缘纸在热老化过程中的介电响应特性与老化程度的关系,制备了植物油纸绝缘试样并对其进行加速热老化试验,在不同的老化阶段对试样进行聚合度测量和介电响应测试,分析其介电响应的变化规律,并提取不同老化阶段介电响应的多个特征量。然后对特征量进行主成分分析(PCA),得到一维特征量(X1),并与聚合度建立关系。结果表明:随着热老化的进行,吸收电流和电导电流均随老化程度的加深逐渐增大,在工频附近,油纸的介质损耗因数也随老化程度的加深而增大;所获得的一维特征量(X1)与聚合度的相关性高,为绝缘纸聚合度的测量提供一种新思路。     

三轴卫星天线降低能耗研究

针对三轴遥感卫星天线用户任务逐渐增多,消耗的能源越来越多的现状,简要介绍了天线控制系统的功能和组成。以功耗测试数据为依据,分析了三轴遥感卫星天线的能耗情况,从缩短天线闭环等待时间、第三轴下电抱闸等方面讨论了降低功耗策略和措施,并提出一种智能化力矩偏置控制的设计,通过智能力偏设置电路去除力矩偏置值,有效控制和降低设备的能耗。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

向家坝水电站双河料场三叠系灰岩骨料碱活性试验

向家坝水电站双河料场三叠系灰岩，沉积条件复杂，含多沉积层位，岩性变化大，夹层多，经骨料碱活性试验鉴定，该骨料具有潜在的危害性碱碳酸盐活性，不能作为混凝土骨料使用。     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.