阿霉素对人乳腺癌细胞凋亡及去磷酸化RB 蛋白表达的影响

目的 探讨阿霉素(ADR) 体外诱导人乳腺癌化疗敏感细胞(MCF-7 S) 凋亡与去磷酸化RB 蛋白表达之间的关系。 方法 应用MTT 比色法检测ADR对体外培养的MCF-7 S 细胞增殖抑制作用, 同时应用末端标记(TUNEL) 法观测ADR 对MCF-7 S 细胞凋亡程度的影响。采用免疫细胞化学法检测去磷酸化RB 蛋白的表达水平。 结果 ADR 抑制MCF-7 S细胞增殖呈剂量依赖性, 半数抑制浓度(IC₅₀) 为0.128 mg·L^-1;ADR 作用组MCF-7 S 细胞的凋亡率(apoptotic rate, AR) 为0.261, 较对照组(0.045) 明显增高(P <0.01);ADR 作用组MCF-7 S 细胞的去磷酸化RB 蛋白表达量MOD(阳性细胞平均光密度) ×area(阳性面积相对比) 均数是987 ±207, 较对照组132 ±32 显著增高(P <0.01);ADR 能促进MCF-7 S细胞内去磷酸化RB 蛋白的表达。在ADR 作用组,MCF-7 S 细胞的凋亡率与去磷酸化RB 蛋白表达量呈正相关(P <0.05)。 结论 ADR 抑制MCF-7 S 细胞增殖和诱导MCF-7 S 细胞凋亡可能与细胞内去磷酸化RB 蛋白表达水平有关。     

辽宁省氯碱工业现状及发展建议

叙述了辽宁省氯碱工业生产现状、生产技术与装备、科研与技术开发及存在的主要问题,并提出发展建议与设想。     

对一个基于身份签密方案的分析与改

基于身份的签密方案计算开销小,密钥管理简单,适用于保证信息的保密性和认证性。Zhang等提出了一个高效的基于身份签密方案,并在随机预言模型下证明了该方案的安全性。通过分析发现Zhang等的签密方案存在缺陷,针对缺陷提出了相应的改进方案,并且基于随机预言模型证明了新方案的安全性。理论分析和实验仿真证明,所提方案计算复杂度低,适合于实际应用。     

数字化集成增压装置加热炉数值模拟分析

运用有限元分析软件对加热炉燃烧器进行了数值模拟分析,并建立起了加热炉的温度场模型,找出了火筒内温度场的分布规律,计算出了火筒、烟管、烟囱的温度分布情况,重点找出了水套加热炉结构中的薄弱环节,为现场改进水套加热炉的结构提供了参考。     

基于FPGA与闪存的石油井下压力测试系统设计

设计了一种能在高温高压下工作的存储式油井压力测试系统,该系统以 FPGA作为主要控制器件,存储器是FLASH,克服了系统掉电时RAM中的数据无法保存和RAM存储容量不够的现象,实现了射孔整个过程和射孔前后压力的采样,并在大庆油田经过了实际测试,采集到了压力曲线图,与预期结果一致.     

水库溢洪道施工温控方案数值模拟与优化研究

寒冷地区混凝土施工,保温防裂是大体积水工混凝土的主要控制指标。文章采用混凝土温度场有限元计算方法,以猴山水库溢洪道工程为案例,针对不同混凝土浇筑季节、不同保温板厚度及处理措施的4种施工方案进行了数值模拟,通过对比分析溢洪道关键部位温度场和温度应力,确定了溢洪道最优温控标准和温控防裂措施,为设计和施工提供了有力技术支撑。     

云南姚安文峰塔保护修缮技术

姚安,古称姚州,位于云南省中部,西汉延续至今的历史文化名城。拥有20处国家级、省、州、县级文物保护单位,属于全国为数不多的历史文化名府,也是极少数至今仍然保留着厚重古文化内涵的县城之一。作为楚雄州州级重点文物保护单位的姚安文峰塔位于姚安县城南8公里的独树山之巅,由于受自然条件、雷击以及多次地震的影响,特别是2009年姚...     

含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究

对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。     

CdTe多晶薄膜的干法腐蚀

我们采用等离子束轰击的方法,研究了干法腐蚀对多晶CdTe薄膜结构和性能的变化,以及对CdTe太阳电池性能的影响。发现与湿法腐蚀方法相比,等离子束溅射轰击不仅可以彻底清除表面的氧化层,而且可以同时改善表面的微粗糙度,增强薄膜的附着力。通过对不同腐蚀方法所制成的CdTe电池器件的性能测试,得出了电池性能较好的干法腐蚀工艺条件。     

通过Al掺杂调节TiN金属栅功函数

The effect of Al incorporation on the effective work function(EWF) of TiN metal gate was systematically investigated.Metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors with W/TiN/Al/TiN gate stacks were used to fulfill this purpose.Different thickness ratios of Al to TiN and different post metal annealing(PMA) conditions were employed.Significant shift of work function towards to Si conduction band was observed,which was suitable for NMOS and the magnitude of shift depends on the processing conditions.