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31.
在非AWGN环境下,针对CW,AM,FM,OOK,PSK,QPSK,16QAM,FSK,MSK,SSB十种混合调制信号,对调制类型特征提取方法和自动识别算法进行了分析、综合、设计和计算机仿真。提出了梯层电平分析方法、频率瞬时信号分析、剔除载波的归一化能量分析、平方后信号的频谱分析、四次方后的信号频谱分析等方法。当SNR=10dB时,计算机仿真结果是正确识别率不低于95%,自动识别的平均处理时间为不超过10s。  相似文献   
32.
基于完全互补码的新型CDMA系统仿真研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用完全互补码的特性 ,分析研究了一种基于完全互补码的新型CDMA系统。这种CDMA系统可以精确估计多径影响 ,实现高速数据传输。且在理论分析的基础上进行了计算机仿真 ,研究了各参数对系统性能的影响特性  相似文献   
33.
文中着重阐述了基于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)技术制造的薄膜体声波谐振器/滤波器,简述了它的结构及原理,分析了其主要特征参数和设计方法,并设计了中心频率为2.4GHz,带宽为100MHz的带通滤波器,展示了薄膜体声波谐振器/滤波器的突出性能,为通信MEMS技术的微型化发展提供了更广阔的道路。  相似文献   
34.
基于GDOP加权的GSM移动台位置估计数据融合   总被引:1,自引:0,他引:1  
GSM网络本身不是面向定位的系统,所能提供用于定位的测量数据有限,故其定位精度受到限制.为了提高其定位精度,并尽量不改变网络的软硬件设施,提出了一种基于几何精度因子(GDOP)加权的GSM移动台位置估计数据融合模型,该模型采用信号场强差作为基本的定位方法,采用几何精度因子加权对定位中间结果进行处理.通过采用某城市的实测数据对本文提出的模型进行验证,结果表明,该模型可以提高移动台的定位精度.  相似文献   
35.
基于粗集理论的数据离散化方法   总被引:21,自引:0,他引:21  
对后继阶段的机器学习或数据挖掘过程而言,决策系统中连续属性值的离散化具有非常重要的意义。本文系统地研究了基于粗集理论的数据离散化方法:提出一种计算候选断点集合的算法;定义概念“选择概率”来合理、有效地度量和区分候选断点的相对重要性;最后基于这一概念提出一种确定结果断点子集的启发式算法,理论分析及仿真结果表明,算法的综舍性能优于文献报道的同类算法.  相似文献   
36.
基于无线自组织网络的TCP Freeze-Probing改进协议   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
王波  范平志 《软件学报》2005,16(5):878-885
传统的TCP协议在有线网络中能够良好地工作,但用于无线自组织网络时则性能有所下降.其原因在于,传统的TCP协议无法分辨网络丢包原因,如网络拥塞、链路断开、信道错误或者链路改变.为了提高TCP协议在无线自组织网络中的性能,提出了一种TCP协议的改进方案TCP Freeze-Probing.该方案是一种端到端方法,不需要网络中间节点的反馈合作同时,提出了一种基于TCP Freeze-Probing的吞吐量模型并利用仿真对模型进行了验证.分析和仿真结果表明,该方案能够有效地改进TCP在无线自组织网络的性能.  相似文献   
37.
移动终端与移动增值业务的发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
庾志成 《世界电信》2005,18(9):70-72
近年来,随着通信、计算机、微电子、集成电路和软件等技术的快速发展,移动通信领域的发展日新月异.尽管人们至今还没有为下一代移动通信系统找到真正意义上的杀手级应用,通过对现有各种移动增值新业务的分析整理,我们可以得出这样一个结论:随着移动增值业务的极大丰富,未来移动终端的功能将会更多更强,和人们工作、生活、娱乐、安全等日常需要息息相关的功能会逐渐汇集到移动终端上.与此同时,行业之间的融合也将在移动通信个人终端上得到体现.  相似文献   
38.
一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。  相似文献   
39.
40.
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